Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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MAGNETIC MATERIAL, AND LAMINATED CHIP COMPONENT
To provide a magnetic material that can be fired at low temperature and has excellent core loss characteristics in a high frequency region.SOLUTION: A magnetic material has a main component containing x mol% of Fe in terms of Fe2O3, y mol% of Zn in terms of ZnO, z mol% of Cu in terms of CuO and (100-x-y-z) mol% of Ni in terms of NiO, and, with respect to the main component, a wt.% of CoO, b wt.% of Bi2O3, c wt.% of SiO2, d wt.% of Al2O3 and e wt.% of Pr6O11 are added as accessory components. Following relations are satisfied: 40≤x≤45, 0≤y≤10, 5≤z≤15, 0
【課題】低温焼成が可能であるとともに、高周波領域でのコアロス特性に優れた磁性材料を提供する。【解決手段】Ｆｅ２Ｏ３換算でｘｍｏｌ％のＦｅ、ＺｎＯ換算でｙｍｏｌ％のＺｎ、ＣｕＯ換算でｚｍｏｌ％のＣｕ、およびＮｉＯ換算で（１００−ｘ−ｙ−ｚ）ｍｏｌ％のＮｉを含む主成分に、副成分として、前記主成分に対してａｗｔ％のＣｏＯ、ｂｗｔ％のＢｉ２Ｏ３、ｃｗｔ％のＳｉＯ２、ｄｗｔ％のＡｌ２Ｏ３、およびｅｗｔ％のＰｒ６Ｏ１１が添加されてなり、４０≦ｘ≦４５、０≦ｙ≦１０、５≦ｚ≦１５、０＜ａ≦０．３、０＜ｂ≦１．０、０＜ｃ≦０．２、０＜ｄ＜０．４、０＜ｅ＜０．１である磁性材料としている。【選択図】なし
MAGNETIC MATERIAL, AND LAMINATED CHIP COMPONENT
To provide a magnetic material that can be fired at low temperature and has excellent core loss characteristics in a high frequency region.SOLUTION: A magnetic material has a main component containing x mol% of Fe in terms of Fe2O3, y mol% of Zn in terms of ZnO, z mol% of Cu in terms of CuO and (100-x-y-z) mol% of Ni in terms of NiO, and, with respect to the main component, a wt.% of CoO, b wt.% of Bi2O3, c wt.% of SiO2, d wt.% of Al2O3 and e wt.% of Pr6O11 are added as accessory components. Following relations are satisfied: 40≤x≤45, 0≤y≤10, 5≤z≤15, 0
【課題】低温焼成が可能であるとともに、高周波領域でのコアロス特性に優れた磁性材料を提供する。【解決手段】Ｆｅ２Ｏ３換算でｘｍｏｌ％のＦｅ、ＺｎＯ換算でｙｍｏｌ％のＺｎ、ＣｕＯ換算でｚｍｏｌ％のＣｕ、およびＮｉＯ換算で（１００−ｘ−ｙ−ｚ）ｍｏｌ％のＮｉを含む主成分に、副成分として、前記主成分に対してａｗｔ％のＣｏＯ、ｂｗｔ％のＢｉ２Ｏ３、ｃｗｔ％のＳｉＯ２、ｄｗｔ％のＡｌ２Ｏ３、およびｅｗｔ％のＰｒ６Ｏ１１が添加されてなり、４０≦ｘ≦４５、０≦ｙ≦１０、５≦ｚ≦１５、０＜ａ≦０．３、０＜ｂ≦１．０、０＜ｃ≦０．２、０＜ｄ＜０．４、０＜ｅ＜０．１である磁性材料としている。【選択図】なし
MAGNETIC MATERIAL, AND LAMINATED CHIP COMPONENT
磁性材料、および積層チップ部品
INAGAKI MASAYUKI (Autor:in)
24.09.2020
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
| Europäisches Patentamt | 2020