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COMPOSITE SINTERED BODY, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT MEMBER, AND MANUFACTURING METHOD OF COMPOSITE SINTERED BODY
To reduce a difference in a coefficient of thermal expansion between an electrode and a base material while suppressing an increase in the resistivity of the electrode.SOLUTION: A composite sintered body 20 includes a base material mainly made of ceramic, and an electrode 23 arranged inside or on the surface of the base material. The electrode 23 includes W and ZrO2. As a result, a difference in the coefficient of thermal expansion between the electrode 23 and the base material can be reduced. As a result, it is possible to suppress cracking of the base material and peeling of the electrode 23 due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the electrode 23 and the base material. Further, in the composite sintered body 20, it is possible to suppress an increase in the resistivity of the electrode 23. As a result, the amount of heat generated by the electrode 23 can be controlled with high accuracy.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】電極の抵抗率の増大を抑制しつつ、電極と基材との熱膨張係数の差を小さくする。【解決手段】複合焼結体２０は、セラミックを主材料とする基材と、当該基材の内部または表面に配置される電極２３と、を備える。電極２３は、Ｗと、ＺｒＯ２とを含む。これにより、電極２３と基材との熱膨張係数の差を小さくすることができる。その結果、電極２３と基材との熱膨張係数の差に起因する基材のクラックや電極２３の剥離を抑制することができる。また、複合焼結体２０では、電極２３の抵抗率の増大を抑制することもできる。その結果、電極２３による発熱量を精度良く制御することができる。【選択図】図１
COMPOSITE SINTERED BODY, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT MEMBER, AND MANUFACTURING METHOD OF COMPOSITE SINTERED BODY
To reduce a difference in a coefficient of thermal expansion between an electrode and a base material while suppressing an increase in the resistivity of the electrode.SOLUTION: A composite sintered body 20 includes a base material mainly made of ceramic, and an electrode 23 arranged inside or on the surface of the base material. The electrode 23 includes W and ZrO2. As a result, a difference in the coefficient of thermal expansion between the electrode 23 and the base material can be reduced. As a result, it is possible to suppress cracking of the base material and peeling of the electrode 23 due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the electrode 23 and the base material. Further, in the composite sintered body 20, it is possible to suppress an increase in the resistivity of the electrode 23. As a result, the amount of heat generated by the electrode 23 can be controlled with high accuracy.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】電極の抵抗率の増大を抑制しつつ、電極と基材との熱膨張係数の差を小さくする。【解決手段】複合焼結体２０は、セラミックを主材料とする基材と、当該基材の内部または表面に配置される電極２３と、を備える。電極２３は、Ｗと、ＺｒＯ２とを含む。これにより、電極２３と基材との熱膨張係数の差を小さくすることができる。その結果、電極２３と基材との熱膨張係数の差に起因する基材のクラックや電極２３の剥離を抑制することができる。また、複合焼結体２０では、電極２３の抵抗率の増大を抑制することもできる。その結果、電極２３による発熱量を精度良く制御することができる。【選択図】図１
COMPOSITE SINTERED BODY, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT MEMBER, AND MANUFACTURING METHOD OF COMPOSITE SINTERED BODY
複合焼結体、半導体製造装置部材および複合焼結体の製造方法
ATSUJI KYOHEI (Autor:in) / MIYANISHI KEITA (Autor:in) / NAGAI ASUMI (Autor:in) / YAMAGUCHI HIROFUMI (Autor:in)
28.03.2022
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
IPC:
H01L
Halbleiterbauelemente
,
SEMICONDUCTOR DEVICES
/
B32B
LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
,
Schichtkörper, d.h. aus Ebenen oder gewölbten Schichten, z.B. mit zell- oder wabenförmiger Form, aufgebaute Erzeugnisse
/
C04B
Kalk
,
LIME
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