Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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MANUFACTURING METHOD OF LAMINATE STRUCTURE AND LAMINATE STRUCTURE
To provide a manufacturing method of a laminate structure in which a conductor between silicon carbide having a large thermal expansion coefficient and a metal is stably laminated, on a surface of a conductive silicon carbide sintered body while reducing contact resistance.SOLUTION: After forming a thermal expansion difference reducing layer 12 by laminating tungsten carbide containing nickel on a surface of a base 11 which is a conductive silicon carbide sintered body, heat treatment is performed in a non-oxidizing atmosphere to diffuse a portion of nickel from the thermal expansion difference reducing layer 12 to the substrate 11, and a phase 20 of silicon carbide containing nickel is formed in the neighborhood of a boundary surface with the thermal expansion difference reducing layer 12 in the base 11 (vicinity of a boundary line BL in a cross-section crossing with the boundary surface).SELECTED DRAWING: Figure 5
【課題】接触抵抗を低減しつつ、導電性炭化珪素質焼結体の表面に、熱膨張率の大きさが炭化珪素と金属との間である導電体が安定的に積層されている積層構造体の製造方法を提供する。【解決手段】導電性炭化珪素質焼結体である基体１１の表面に、ニッケルを含有する炭化タングステンを積層することにより熱膨張差低減層１２を形成した後、非酸化性雰囲気で熱処理を行うことにより、ニッケルの一部を熱膨張差低減層１２から基体１１に拡散させ、基体１１において熱膨張差低減層１２との境界面の近傍（境界面に直交する断面における境界線ＢＬの近傍）に、ニッケルを含有する炭化珪素の相２０を形成する。【選択図】図５
MANUFACTURING METHOD OF LAMINATE STRUCTURE AND LAMINATE STRUCTURE
To provide a manufacturing method of a laminate structure in which a conductor between silicon carbide having a large thermal expansion coefficient and a metal is stably laminated, on a surface of a conductive silicon carbide sintered body while reducing contact resistance.SOLUTION: After forming a thermal expansion difference reducing layer 12 by laminating tungsten carbide containing nickel on a surface of a base 11 which is a conductive silicon carbide sintered body, heat treatment is performed in a non-oxidizing atmosphere to diffuse a portion of nickel from the thermal expansion difference reducing layer 12 to the substrate 11, and a phase 20 of silicon carbide containing nickel is formed in the neighborhood of a boundary surface with the thermal expansion difference reducing layer 12 in the base 11 (vicinity of a boundary line BL in a cross-section crossing with the boundary surface).SELECTED DRAWING: Figure 5
【課題】接触抵抗を低減しつつ、導電性炭化珪素質焼結体の表面に、熱膨張率の大きさが炭化珪素と金属との間である導電体が安定的に積層されている積層構造体の製造方法を提供する。【解決手段】導電性炭化珪素質焼結体である基体１１の表面に、ニッケルを含有する炭化タングステンを積層することにより熱膨張差低減層１２を形成した後、非酸化性雰囲気で熱処理を行うことにより、ニッケルの一部を熱膨張差低減層１２から基体１１に拡散させ、基体１１において熱膨張差低減層１２との境界面の近傍（境界面に直交する断面における境界線ＢＬの近傍）に、ニッケルを含有する炭化珪素の相２０を形成する。【選択図】図５
MANUFACTURING METHOD OF LAMINATE STRUCTURE AND LAMINATE STRUCTURE
積層構造体の製造方法及び積層構造体
YAMADA TOMOYUKI (Autor:in) / SEIKI SUSUMU (Autor:in)
06.10.2022
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
LAMINATE STRUCTURE AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE STRUCTURE
| Europäisches Patentamt | 2021