Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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MEMBER FOR PLASMA TREATMENT DEVICES, AND SPUTTERING TARGET, AND SPUTTERING TARGET ASSEMBLY
To provide a member for plasma treatment devices having sufficiently high density and excellent plasma resistance, and a sputtering target and a sputtering target assembly capable of suppressing abnormal discharge and the formation of particles and capable of stably depositing a high-quality film.SOLUTION: The present invention provides a member for plasma treatment devices, which is used inside a plasma treatment device, and comprises a boron carbide phase as its matrix phase, with the carbon content being 17 atom% or more to 21 atom% or less, the boron carbide phase having an average particle size of 10 μm or less, and the density ratio being 97% or more.SELECTED DRAWING: None
【課題】密度が十分に高く耐プラズマ性に優れたプラズマ処理装置用部材、および、異常放電およびパーティクルの発生を抑制でき、安定して高品質な膜を成膜することが可能なスパッタリングターゲット、スパッタリングターゲット接合体を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置の内部で用いられるプラズマ処理装置用部材であって、炭化ホウ素相を母相とし、炭素含有量が１７原子％以上２１原子％以下の範囲内とされており、前記炭化ホウ素相の平均粒径が１０μｍ以下であり、密度比が９７％以上であることを特徴とする。【選択図】なし
MEMBER FOR PLASMA TREATMENT DEVICES, AND SPUTTERING TARGET, AND SPUTTERING TARGET ASSEMBLY
To provide a member for plasma treatment devices having sufficiently high density and excellent plasma resistance, and a sputtering target and a sputtering target assembly capable of suppressing abnormal discharge and the formation of particles and capable of stably depositing a high-quality film.SOLUTION: The present invention provides a member for plasma treatment devices, which is used inside a plasma treatment device, and comprises a boron carbide phase as its matrix phase, with the carbon content being 17 atom% or more to 21 atom% or less, the boron carbide phase having an average particle size of 10 μm or less, and the density ratio being 97% or more.SELECTED DRAWING: None
【課題】密度が十分に高く耐プラズマ性に優れたプラズマ処理装置用部材、および、異常放電およびパーティクルの発生を抑制でき、安定して高品質な膜を成膜することが可能なスパッタリングターゲット、スパッタリングターゲット接合体を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置の内部で用いられるプラズマ処理装置用部材であって、炭化ホウ素相を母相とし、炭素含有量が１７原子％以上２１原子％以下の範囲内とされており、前記炭化ホウ素相の平均粒径が１０μｍ以下であり、密度比が９７％以上であることを特徴とする。【選択図】なし
MEMBER FOR PLASMA TREATMENT DEVICES, AND SPUTTERING TARGET, AND SPUTTERING TARGET ASSEMBLY
プラズマ処理装置用部材、および、スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲット接合体
HAYASHI YUJIRO (Autor:in) / UMEMOTO KEITA (Autor:in)
21.08.2023
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
IPC:
C23C
Beschichten metallischer Werkstoffe
,
COATING METALLIC MATERIAL
/
C04B
Kalk
,
LIME
/
G03F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
,
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES
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