Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT
To provide a method for producing a silicon nitride sintered compact having the amount of solid dissolved oxygen controlled.SOLUTION: A method includes: a step of adding a sintering aid powder to a silicon nitride powder within a range of 1 pt.mass or more and 20 pts.mass or less; a mixing step of mixing a raw material powder using a ball mill; a forming step; a dewaxing step; and a sintering step. In the mixing step, the raw material powder is mixed by a ball mill using media having a diameter of 3 mm or more and 20 mm or less, at a rotational speed of 30 rpm or more and 500 rpm or less in a cylindrical rotating vessel, for a mixing time of 5 hours or longer and 40 hours or shorter. In a 20 μm×20 μm area of any cross section, an average amount of solid dissolved oxygen in silicon nitride crystal particles is 0.2 wt.% or more. In a 50 μmx50 μm area of any cross section, an average value of the long diameter of the silicon nitride crystal particles is 0.1 μm or more and 10 μm or less, and an average value of the aspect ratio of the silicon nitride crystal particles is 1.5 or more and 10 or less. The fracture toughness value is 6 MPa m1/2 or more.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】固溶酸素量を制御した窒化珪素焼結体の製造方法を提供する。【解決手段】方法は、焼結助剤粉末を１質量部以上２０質量部以下の範囲内で窒化珪素粉末に添加する工程と、原料粉末をボールミルを用いて混合する混合工程と、成形工程と、脱脂工程と、焼結工程とを含む。混合工程では、直径３ｍｍ以上２０ｍｍ以下のメディアを用いて、筒状回転容器の回転速度が３０ｒｐｍ以上５００ｒｐｍ以下、混合時間が５時間以上４０時間以下で、ボールミルにより原料粉末を混合する。任意の断面の２０μｍ×２０μｍの領域において、窒化珪素結晶粒子の固溶酸素量の平均値は０．２ｗｔ％以上である。任意の断面の５０μｍ×５０μｍの領域において、窒化珪素結晶粒子の長径の平均値は０．１μｍ以上１０μｍ以下、窒化珪素結晶粒子のアスペクト比の平均値は１．５以上１０以下である。破壊靭性値は、６ＭＰａ・ｍ１／２以上である。【選択図】図１
METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT
To provide a method for producing a silicon nitride sintered compact having the amount of solid dissolved oxygen controlled.SOLUTION: A method includes: a step of adding a sintering aid powder to a silicon nitride powder within a range of 1 pt.mass or more and 20 pts.mass or less; a mixing step of mixing a raw material powder using a ball mill; a forming step; a dewaxing step; and a sintering step. In the mixing step, the raw material powder is mixed by a ball mill using media having a diameter of 3 mm or more and 20 mm or less, at a rotational speed of 30 rpm or more and 500 rpm or less in a cylindrical rotating vessel, for a mixing time of 5 hours or longer and 40 hours or shorter. In a 20 μm×20 μm area of any cross section, an average amount of solid dissolved oxygen in silicon nitride crystal particles is 0.2 wt.% or more. In a 50 μmx50 μm area of any cross section, an average value of the long diameter of the silicon nitride crystal particles is 0.1 μm or more and 10 μm or less, and an average value of the aspect ratio of the silicon nitride crystal particles is 1.5 or more and 10 or less. The fracture toughness value is 6 MPa m1/2 or more.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】固溶酸素量を制御した窒化珪素焼結体の製造方法を提供する。【解決手段】方法は、焼結助剤粉末を１質量部以上２０質量部以下の範囲内で窒化珪素粉末に添加する工程と、原料粉末をボールミルを用いて混合する混合工程と、成形工程と、脱脂工程と、焼結工程とを含む。混合工程では、直径３ｍｍ以上２０ｍｍ以下のメディアを用いて、筒状回転容器の回転速度が３０ｒｐｍ以上５００ｒｐｍ以下、混合時間が５時間以上４０時間以下で、ボールミルにより原料粉末を混合する。任意の断面の２０μｍ×２０μｍの領域において、窒化珪素結晶粒子の固溶酸素量の平均値は０．２ｗｔ％以上である。任意の断面の５０μｍ×５０μｍの領域において、窒化珪素結晶粒子の長径の平均値は０．１μｍ以上１０μｍ以下、窒化珪素結晶粒子のアスペクト比の平均値は１．５以上１０以下である。破壊靭性値は、６ＭＰａ・ｍ１／２以上である。【選択図】図１
METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT
窒化珪素焼結体の製造方法
AOKI KATSUYUKI (Autor:in) / FUKAZAWA TAKAYUKI (Autor:in) / HOTSUKI NAOTO (Autor:in) / YAMAGATA YOSHIHITO (Autor:in) / IWAI KENTARO (Autor:in)
10.07.2024
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
METHOD FOR CONTINUOUSLY PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT
| Europäisches Patentamt | 2023
METHOD FOR CONTINUOUSLY PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT
| Europäisches Patentamt | 2023
METHOD FOR CONTINUOUSLY PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT
| Europäisches Patentamt | 2022
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