Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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PROCESS FOR PRODUCING TABLET FOR VAPOR DEPOSITION
본 발명의 증착용 타블렛은 산화인듐 소결체의 파단면에 나타나는 결정립의 입도 분포에 있어서의 최대 피크를 구성하는 입경의 결정립이 차지하는 비율이 20% 이하인 것을 특징으로 하고, 이 증착용 타블렛은 산화인듐 분말과 산화세륨 분말을 혼합하여 1300℃ 이상 1550℃ 이하에서 열처리하여 하소 분말을 얻는 제1 공정과, 얻어진 하소 분말에 미하소의 산화인듐 분말 및/또는 산화세륨 분말을 상기 하소 분말의 비율이 50질량% 이상 80질량% 이하가 되도록 혼합하고 또한 조립하여 조립 분말을 얻는 제2 공정과, 얻어진 조립 분말을 성형하여 성형체로 하고 이 성형체를 1100℃ 이상 1350℃ 이하에서 또한 제1 공정에 있어서의 하소 분말의 열처리 온도보다 200℃ 이상 낮은 온도에서 소결하여 세륨을 도펀트로서 포함하는 산화인듐의 소결체를 얻는 제3 공정을 구비하는 방법에 의해 제조된다.
PROCESS FOR PRODUCING TABLET FOR VAPOR DEPOSITION
본 발명의 증착용 타블렛은 산화인듐 소결체의 파단면에 나타나는 결정립의 입도 분포에 있어서의 최대 피크를 구성하는 입경의 결정립이 차지하는 비율이 20% 이하인 것을 특징으로 하고, 이 증착용 타블렛은 산화인듐 분말과 산화세륨 분말을 혼합하여 1300℃ 이상 1550℃ 이하에서 열처리하여 하소 분말을 얻는 제1 공정과, 얻어진 하소 분말에 미하소의 산화인듐 분말 및/또는 산화세륨 분말을 상기 하소 분말의 비율이 50질량% 이상 80질량% 이하가 되도록 혼합하고 또한 조립하여 조립 분말을 얻는 제2 공정과, 얻어진 조립 분말을 성형하여 성형체로 하고 이 성형체를 1100℃ 이상 1350℃ 이하에서 또한 제1 공정에 있어서의 하소 분말의 열처리 온도보다 200℃ 이상 낮은 온도에서 소결하여 세륨을 도펀트로서 포함하는 산화인듐의 소결체를 얻는 제3 공정을 구비하는 방법에 의해 제조된다.
PROCESS FOR PRODUCING TABLET FOR VAPOR DEPOSITION
증착용 타블렛의 제조 방법
11.11.2015
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
ZnO vapor deposition material and process for producing the same
| Europäisches Patentamt | 2015
4547404 Chemical vapor deposition process
Elsevier | 1987
| Europäisches Patentamt | 2017
Troubleshooting tablet process operations
| British Library Conference Proceedings | 1997