Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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MAUNFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTING CERAMICS COMPOSITIONS AND CERAMICS SUBSTRATE THEREOF
본 발명에서 개시하는 세라믹스 조성물은 전기적으로 반도성인 세라믹스 조성물로서, ZnO에 Mn, Co 및 Cr의 금속 이온을 포함하는 금속 산화물들로 이루어진 군에서 하나 이상 선택된 성분을 첨가한 조성으로 될 수 있고, 상기 성분의 첨가량은 ZnO량 대비 바람직하게는 0.01~2.0wt%이다. 또한, 전술한 세라믹스 조성물을 제조하는 방법은 ZnO에 Mn, Co 및 Cr의 금속 이온을 포함하는 금속 산화물들로 이루어진 군에서 하나 이상 선택된 성분을 첨가한 조성으로 되는 분말을 혼합하는 단계와, 상기 분말을 성형 및 소결하는 단계를 포함한다. 상기 소결의 온도는 950~1200℃로 될 수 있고 상기 소결은 산소 분위기에서 수행된다. 또한, 상기 성형은 건식성형, 냉간 등방압 성형, 압출 성형, 테입 캐스팅, 슬립 캐스팅 및 필터 캐스팅 중의 하나 이상으로 될 수 있다.
MAUNFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTING CERAMICS COMPOSITIONS AND CERAMICS SUBSTRATE THEREOF
본 발명에서 개시하는 세라믹스 조성물은 전기적으로 반도성인 세라믹스 조성물로서, ZnO에 Mn, Co 및 Cr의 금속 이온을 포함하는 금속 산화물들로 이루어진 군에서 하나 이상 선택된 성분을 첨가한 조성으로 될 수 있고, 상기 성분의 첨가량은 ZnO량 대비 바람직하게는 0.01~2.0wt%이다. 또한, 전술한 세라믹스 조성물을 제조하는 방법은 ZnO에 Mn, Co 및 Cr의 금속 이온을 포함하는 금속 산화물들로 이루어진 군에서 하나 이상 선택된 성분을 첨가한 조성으로 되는 분말을 혼합하는 단계와, 상기 분말을 성형 및 소결하는 단계를 포함한다. 상기 소결의 온도는 950~1200℃로 될 수 있고 상기 소결은 산소 분위기에서 수행된다. 또한, 상기 성형은 건식성형, 냉간 등방압 성형, 압출 성형, 테입 캐스팅, 슬립 캐스팅 및 필터 캐스팅 중의 하나 이상으로 될 수 있다.
MAUNFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTING CERAMICS COMPOSITIONS AND CERAMICS SUBSTRATE THEREOF
반도성 세라믹스 조성물의 제조방법 및 그의 세라믹스 기판
29.09.2016
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
SEMICONDUCTING CERAMICS COMPOSITIONS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2016
SEMICONDUCTING CERAMICS COMPOSITION FOR ELECTROSTATIC DISSIPATION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2016
Europäisches Patentamt | 2024
Semiconducting Ceramics from Nickel-Cobalt Manganite Spinels
| British Library Conference Proceedings | 1993
Electrical properties of epoxy-modified YBCO semiconducting ceramics
| British Library Online Contents | 1997