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OXIDE SINTERED COMPACT AND METHOD OF PRODUCING SAME OXIDE SPUTTERING TARGET AND CONDUCTIVE OXIDE FILM
인듐 (In), 티탄 (Ti), 아연 (Zn), 주석 (Sn) 및 산소 (O) 로 이루어지고, Ti 에 대한 In 의 함유량이 원자수 비로 3.0 ≤ In/Ti ≤ 5.0, In 과 Ti 에 대한 Zn 과 Sn 의 함유량이 원자수 비로 0.2 ≤ (Zn + Sn)/(In + Ti) ≤ 1.5, Sn 에 대한 Zn 의 함유량이 원자수 비로 0.5 ≤ Zn/Sn ≤ 7.0 의 관계식을 만족하는 것을 특징으로 하는 산화물 소결체. 체적 저항률이 낮고, DC 스퍼터링이 가능하며, 투명하고 고굴절률의 도전막을 형성할 수 있다.
OXIDE SINTERED COMPACT AND METHOD OF PRODUCING SAME OXIDE SPUTTERING TARGET AND CONDUCTIVE OXIDE FILM
인듐 (In), 티탄 (Ti), 아연 (Zn), 주석 (Sn) 및 산소 (O) 로 이루어지고, Ti 에 대한 In 의 함유량이 원자수 비로 3.0 ≤ In/Ti ≤ 5.0, In 과 Ti 에 대한 Zn 과 Sn 의 함유량이 원자수 비로 0.2 ≤ (Zn + Sn)/(In + Ti) ≤ 1.5, Sn 에 대한 Zn 의 함유량이 원자수 비로 0.5 ≤ Zn/Sn ≤ 7.0 의 관계식을 만족하는 것을 특징으로 하는 산화물 소결체. 체적 저항률이 낮고, DC 스퍼터링이 가능하며, 투명하고 고굴절률의 도전막을 형성할 수 있다.
OXIDE SINTERED COMPACT AND METHOD OF PRODUCING SAME OXIDE SPUTTERING TARGET AND CONDUCTIVE OXIDE FILM
산화물 소결체 및 그 제조 방법, 산화물 스퍼터링 타깃 그리고 도전성 산화물 박막
24.10.2016
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
Europäisches Patentamt | 2016
|OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET, THIN FILM AND METHOD OF PRODUCING OXIDE SINTERED COMPACT
Europäisches Patentamt | 2016
|OXIDE SINTERED COMPACT SPUTTERING TARGET THIN FILM AND METHOD OF PRODUCING OXIDE SINTERED COMPACT
Europäisches Patentamt | 2017
OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET, THIN FILM AND METHOD FOR PRODUCING OXIDE SINTERED COMPACT
Europäisches Patentamt | 2016
|Europäisches Patentamt | 2017