Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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VOLTAGE NONLINEAR RESISTOR
본 발명은, 고전류 영역의 전압이 낮은 전압 비직선 저항체로서 제조가 용이한 것을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 전압 비직선 저항체는, 산화아연을 주성분으로 하며, 하기 식으로 나타내는 산화아연의 (100)면의 배향도[f(100)]가 0.40 이상인 것이다. f(100)＝I(100)/(I(100)＋I(002)＋I(101)) 단, I(hkl)은 (hkl)면의 피크 강도(적분값)를 나타낸다.
The present invention provides a voltage nonlinear resistor containing zinc oxide as a major component, wherein the degree of orientation f(100) of the (100) plane of zinc oxide is 0.40 or more and is represented by the following equation: f(100) = I(100) / (1(100) + I(002) + I(101)), where I(hkl) represents the peak intensity (integral) of a (hkl) plane.
VOLTAGE NONLINEAR RESISTOR
본 발명은, 고전류 영역의 전압이 낮은 전압 비직선 저항체로서 제조가 용이한 것을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 전압 비직선 저항체는, 산화아연을 주성분으로 하며, 하기 식으로 나타내는 산화아연의 (100)면의 배향도[f(100)]가 0.40 이상인 것이다. f(100)＝I(100)/(I(100)＋I(002)＋I(101)) 단, I(hkl)은 (hkl)면의 피크 강도(적분값)를 나타낸다.
The present invention provides a voltage nonlinear resistor containing zinc oxide as a major component, wherein the degree of orientation f(100) of the (100) plane of zinc oxide is 0.40 or more and is represented by the following equation: f(100) = I(100) / (1(100) + I(002) + I(101)), where I(hkl) represents the peak intensity (integral) of a (hkl) plane.
Voltage nonlinear resistor ceramic and electronic component
| Europäisches Patentamt | 2018
VOLTAGE NONLINEAR RESISTOR CERAMIC AND ELECTRONIC COMPONENT
| Europäisches Patentamt | 2016
Voltage nonlinear resistor ceramic composition and electronic component
| Europäisches Patentamt | 2015