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ZINC-DOPED MAGNESIUM SILICATE
본 발명은 마그네슘 실리케이트에 관한 것이다. 1200℃ 이하의 온도(≤ 1200℃)에서 소결될 수 있는 마그네슘 실리케이트를 제공하기 위해, 마그네슘 실리케이트는 일반 화학식 MgxZnyXz[SiO4]를 기반으로 하고, 상기 식에서 1.00 ≤ x ≤ 1.99이고, 0.01 ≤ y ≤ 0.32이고, 0 ≤ z ≤ 0.10이며, X는 칼슘 및/또는 망간 및/또는 철이다. 또한, 본 발명은 상응하는 세라믹 재료, 상응하는 사출 성형 성분, 상응하는 제조 방법뿐만 아니라, 고온 전지 및 에너지 시스템, 특히 열병합 발전 시스템에 관한 것이다.
The present invention relates to a magnesium silicate. A magnesium silicate that can be sintered at a temperature ≤ 1200 °C is based on the general chemical formula: MgxZnyXz[SiO4], where 1.00 ≤ x ≤ 1.99, 0.01 ≤ y ≤ 0.32, 0 ≤ z ≤ 0.10, and X is calcium and/or manganese and/or iron. The invention further relates to a corresponding ceramic material, a corresponding injection-moulded component, a corresponding production process, and also a high-temperature cell and an energy system, more particularly a combined heat and power system.
ZINC-DOPED MAGNESIUM SILICATE
본 발명은 마그네슘 실리케이트에 관한 것이다. 1200℃ 이하의 온도(≤ 1200℃)에서 소결될 수 있는 마그네슘 실리케이트를 제공하기 위해, 마그네슘 실리케이트는 일반 화학식 MgxZnyXz[SiO4]를 기반으로 하고, 상기 식에서 1.00 ≤ x ≤ 1.99이고, 0.01 ≤ y ≤ 0.32이고, 0 ≤ z ≤ 0.10이며, X는 칼슘 및/또는 망간 및/또는 철이다. 또한, 본 발명은 상응하는 세라믹 재료, 상응하는 사출 성형 성분, 상응하는 제조 방법뿐만 아니라, 고온 전지 및 에너지 시스템, 특히 열병합 발전 시스템에 관한 것이다.
The present invention relates to a magnesium silicate. A magnesium silicate that can be sintered at a temperature ≤ 1200 °C is based on the general chemical formula: MgxZnyXz[SiO4], where 1.00 ≤ x ≤ 1.99, 0.01 ≤ y ≤ 0.32, 0 ≤ z ≤ 0.10, and X is calcium and/or manganese and/or iron. The invention further relates to a corresponding ceramic material, a corresponding injection-moulded component, a corresponding production process, and also a high-temperature cell and an energy system, more particularly a combined heat and power system.
ZINC-DOPED MAGNESIUM SILICATE
아연 도핑된 마그네슘 실리케이트
06.05.2022
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch