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입방정 질화붕소 소결체, 그것을 포함하는 절삭 공구, 및 입방정 질화붕소 소결체의 제조 방법
85 체적% 이상 100 체적% 미만의 입방정 질화붕소 입자와, 잔부인 결합재를 구비하는 입방정 질화붕소 소결체로서, 결합재는, WC, Co 및 Al 화합물을 포함하고, TEM-EDX를 이용하여, 입방정 질화붕소 입자끼리가 인접하여 이루어지는 계면을 포함하는 계면 영역을 분석한 경우에, 계면 상의 전부 또는 일부에 산소가 존재하고 있으며, 산소가 존재하는 영역의 폭(D)은, 0.1 nm 이상 10 nm 이하인 입방정 질화붕소 소결체가 제공된다.
A cubic boron nitride sintered material includes: more than or equal to 85 volume% and less than 100 volume% of cubic boron nitride grains; and a remainder of a binder, wherein the binder includes WC, Co and an Al compound, and when a TEM-EDX is used to analyze an interface region including an interface at which the cubic boron nitride grains are adjacent to each other, oxygen exists on a whole or part of the interface, and a width D of a region in which the oxygen exists is more than or equal to 0.1 nm and less than or equal to 10 nm.
입방정 질화붕소 소결체, 그것을 포함하는 절삭 공구, 및 입방정 질화붕소 소결체의 제조 방법
85 체적% 이상 100 체적% 미만의 입방정 질화붕소 입자와, 잔부인 결합재를 구비하는 입방정 질화붕소 소결체로서, 결합재는, WC, Co 및 Al 화합물을 포함하고, TEM-EDX를 이용하여, 입방정 질화붕소 입자끼리가 인접하여 이루어지는 계면을 포함하는 계면 영역을 분석한 경우에, 계면 상의 전부 또는 일부에 산소가 존재하고 있으며, 산소가 존재하는 영역의 폭(D)은, 0.1 nm 이상 10 nm 이하인 입방정 질화붕소 소결체가 제공된다.
A cubic boron nitride sintered material includes: more than or equal to 85 volume% and less than 100 volume% of cubic boron nitride grains; and a remainder of a binder, wherein the binder includes WC, Co and an Al compound, and when a TEM-EDX is used to analyze an interface region including an interface at which the cubic boron nitride grains are adjacent to each other, oxygen exists on a whole or part of the interface, and a width D of a region in which the oxygen exists is more than or equal to 0.1 nm and less than or equal to 10 nm.
입방정 질화붕소 소결체, 입방정 질화붕소 소결체를 구비하는 공구 및 입방정 질화붕소 소결체의 제조 방법
Europäisches Patentamt | 2023
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