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VOLTAGE NONLINEAR RESISTIVE ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
The purpose of the present invention is to lowly suppress a clamping voltage in a high current region in a voltage nonlinear resistive element of zinc oxide. The voltage nonlinear resistive element (10) includes one resistor (14) which includes one bonding body (12) in which a zinc oxide ceramic layer (12a) which is mainly composed of zinc oxide and has a volume resistivity below 1.0 x 10^-1Ωcm and a bismuth oxide layer (12b) which is mainly composed of bismuth oxide are bonded, and a pair of electrodes (16,18) which are formed on the resistor (14) to make a conductive path cross the bonding surface of the zinc oxide ceramic layer (12a) and the bismuth oxide layer (12b). In the element (10), the clamping voltage is lowly suppressed in the high current region because the zinc oxide ceramic layer (12a) of the bonding body (12) with the low volume resistivity is used in comparison with the existing element.
본 발명은 산화아연계의 전압 비직선 저항 소자에 있어서, 고전류 영역에서의 제한 전압을 낮게 억제하는 것을 목적으로 한다. 전압 비직선 저항 소자(10)는, 산화아연을 주성분으로 하고 체적 저항률이 1.0×10Ω㎝ 이하인 산화아연 세라믹스층(12a)과 산화비스무트를 주성분으로 하는 산화비스무트층(12b)이 접합된 접합체(12)를 하나 갖는 저항체(14)와, 산화아연 세라믹스층(12a)과 산화비스무트층(12b)의 접합면을 도전 경로가 가로지르도록 저항체(14)에 형성된 한 쌍의 전극(16, 18)을 구비한 것이다. 이 소자(10)에서는, 접합체(12)의 산화아연 세라믹스층(12a)으로서, 종래에 비해 체적 저항률이 낮은 것을 사용하고 있다. 그 때문에, 고전류 영역에서의 제한 전압을 종래에 비해 낮게 억제할 수 있다.
VOLTAGE NONLINEAR RESISTIVE ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
The purpose of the present invention is to lowly suppress a clamping voltage in a high current region in a voltage nonlinear resistive element of zinc oxide. The voltage nonlinear resistive element (10) includes one resistor (14) which includes one bonding body (12) in which a zinc oxide ceramic layer (12a) which is mainly composed of zinc oxide and has a volume resistivity below 1.0 x 10^-1Ωcm and a bismuth oxide layer (12b) which is mainly composed of bismuth oxide are bonded, and a pair of electrodes (16,18) which are formed on the resistor (14) to make a conductive path cross the bonding surface of the zinc oxide ceramic layer (12a) and the bismuth oxide layer (12b). In the element (10), the clamping voltage is lowly suppressed in the high current region because the zinc oxide ceramic layer (12a) of the bonding body (12) with the low volume resistivity is used in comparison with the existing element.
본 발명은 산화아연계의 전압 비직선 저항 소자에 있어서, 고전류 영역에서의 제한 전압을 낮게 억제하는 것을 목적으로 한다. 전압 비직선 저항 소자(10)는, 산화아연을 주성분으로 하고 체적 저항률이 1.0×10Ω㎝ 이하인 산화아연 세라믹스층(12a)과 산화비스무트를 주성분으로 하는 산화비스무트층(12b)이 접합된 접합체(12)를 하나 갖는 저항체(14)와, 산화아연 세라믹스층(12a)과 산화비스무트층(12b)의 접합면을 도전 경로가 가로지르도록 저항체(14)에 형성된 한 쌍의 전극(16, 18)을 구비한 것이다. 이 소자(10)에서는, 접합체(12)의 산화아연 세라믹스층(12a)으로서, 종래에 비해 체적 저항률이 낮은 것을 사용하고 있다. 그 때문에, 고전류 영역에서의 제한 전압을 종래에 비해 낮게 억제할 수 있다.
VOLTAGE NONLINEAR RESISTIVE ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
전압 비직선 저항 소자 및 그 제조 방법
YAMAZAKI SATOSHI (Autor:in) / HAYASE TORU (Autor:in) / MORIMOTO KENJI (Autor:in) / KAWASAKI SHINJI (Autor:in) / TAKEUCHI YUKIHISA (Autor:in)
01.10.2015
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
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| Europäisches Patentamt | 2018
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