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SINTERED BODY SPUTTERING TARGET COMPRISING SINTERED BODY AND THIN FILM FORMED BY USING SPATTERING TARGET
The present invention relates to a sintered body or a film containing ZnS and an oxide. The sintered body contains 40 to 70 mol% of ZnS. The oxide in the sintered body contains a composite oxide including at least Zn, Ga, and O. The composition of the sintered body or the film satisfies a relational expression of 4 at% <= Ga/(Ga + Zn - S) <= 18 at%. An objective of the present invention is to provide a sputtering target that is low in bulk resistance value and allows stable DC sputtering. Another objective of the present invention is to provide a thin film as a film for optical adjustment, an optical disc protection film, or a transparent conductive film for various types of display, which has excellent optical or high-temperature high-humidity resistance characteristics.
ZnS 와 산화물을 함유하는 소결체 또는 막으로서, 상기 소결체는 ZnS 를 40 ∼ 70 mol% 함유하고, 소결체 중의 상기 산화물은 적어도 Zn, Ga, O 로 이루어지는 복합 산화물을 함유하고, 상기 소결체 또는 막의 조성이 4 at% ≤ Ga/(Ga + Zn - S) ≤ 18 at% 의 관계식을 만족하는 것을 특징으로 한다. 본 발명은, 벌크 저항치가 낮고, 안정적인 DC 스퍼터링이 가능한 스퍼터링 타깃을 제공하는 것을 과제로 한다. 또, 각종 디스플레이에 있어서의 투명 도전막이나 광디스크의 보호막, 광학 조정용의 막으로서, 광학 특성이나 고온 고습 내성에 있어서, 매우 우수한 특성을 갖는 박막을 제공하는 것을 과제로 한다.
SINTERED BODY SPUTTERING TARGET COMPRISING SINTERED BODY AND THIN FILM FORMED BY USING SPATTERING TARGET
The present invention relates to a sintered body or a film containing ZnS and an oxide. The sintered body contains 40 to 70 mol% of ZnS. The oxide in the sintered body contains a composite oxide including at least Zn, Ga, and O. The composition of the sintered body or the film satisfies a relational expression of 4 at% <= Ga/(Ga + Zn - S) <= 18 at%. An objective of the present invention is to provide a sputtering target that is low in bulk resistance value and allows stable DC sputtering. Another objective of the present invention is to provide a thin film as a film for optical adjustment, an optical disc protection film, or a transparent conductive film for various types of display, which has excellent optical or high-temperature high-humidity resistance characteristics.
ZnS 와 산화물을 함유하는 소결체 또는 막으로서, 상기 소결체는 ZnS 를 40 ∼ 70 mol% 함유하고, 소결체 중의 상기 산화물은 적어도 Zn, Ga, O 로 이루어지는 복합 산화물을 함유하고, 상기 소결체 또는 막의 조성이 4 at% ≤ Ga/(Ga + Zn - S) ≤ 18 at% 의 관계식을 만족하는 것을 특징으로 한다. 본 발명은, 벌크 저항치가 낮고, 안정적인 DC 스퍼터링이 가능한 스퍼터링 타깃을 제공하는 것을 과제로 한다. 또, 각종 디스플레이에 있어서의 투명 도전막이나 광디스크의 보호막, 광학 조정용의 막으로서, 광학 특성이나 고온 고습 내성에 있어서, 매우 우수한 특성을 갖는 박막을 제공하는 것을 과제로 한다.
SINTERED BODY SPUTTERING TARGET COMPRISING SINTERED BODY AND THIN FILM FORMED BY USING SPATTERING TARGET
소결체 및 그 소결체로 이루어지는 스퍼터링 타깃 그리고 그 스퍼터링 타깃을 사용하여 형성한 박막
NARA ATSUSHI (Autor:in)
27.04.2017
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
Europäisches Patentamt | 2019
Europäisches Patentamt | 2017
|OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
Europäisches Patentamt | 2017
|OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
Europäisches Patentamt | 2018
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
Europäisches Patentamt | 2016
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