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ZnO ZnO-BASED VARISTOR COMPOSITION AND MANUFACTURING METHOD AND VARISTOR THEREOF
Disclosed in the present invention is a ZnO-based varistor composition in which the content of Bi_2O_3, V_2O_5, Pr_6O_11 and Pr_2O_3 is intentionally excluded. According to the present invention, the composition comprises ZnO, Bi_2Mo_3O_12 and Mn oxide, and has a high nonlinear coefficient and a low leakage current. In addition, the composition is excellent in work stability during manufacture. In particular, sintering is possible at a low temperature of about 800°C, thereby enabling simultaneous sintering with metal electrodes. Therefore, a disk-type or bulk-type varistor, or a multilayer varistor element using a 100% Ag internal electrode can be manufactured, thereby reducing manufacturing costs.
본 발명은 BiO, VO, PrO및 PrO의 함유가 의도적으로 배제된 ZnO계 바리스터 조성물을 개시한다. 본 발명에 의한 상기 조성물은 ZnO와 BiMoO및 Mn 산화물을 포함하고, 높은 비선형계수와 낮은 누설전류를 갖고 제조시 작업 안정성이 우수하며 특히 대략 800℃ 전후의 저온에서 소결이 가능하여 금속전극과의 동시 소성이 가능하므로 디스크형 또는 벌크형 바리스터, 또는 100% Ag 내부전극을 사용하여 적층형 바리스터 소자를 제조할 수 있어 제조단가를 낮출 수 있는 우수한 효과를 갖는다.
ZnO ZnO-BASED VARISTOR COMPOSITION AND MANUFACTURING METHOD AND VARISTOR THEREOF
Disclosed in the present invention is a ZnO-based varistor composition in which the content of Bi_2O_3, V_2O_5, Pr_6O_11 and Pr_2O_3 is intentionally excluded. According to the present invention, the composition comprises ZnO, Bi_2Mo_3O_12 and Mn oxide, and has a high nonlinear coefficient and a low leakage current. In addition, the composition is excellent in work stability during manufacture. In particular, sintering is possible at a low temperature of about 800°C, thereby enabling simultaneous sintering with metal electrodes. Therefore, a disk-type or bulk-type varistor, or a multilayer varistor element using a 100% Ag internal electrode can be manufactured, thereby reducing manufacturing costs.
본 발명은 BiO, VO, PrO및 PrO의 함유가 의도적으로 배제된 ZnO계 바리스터 조성물을 개시한다. 본 발명에 의한 상기 조성물은 ZnO와 BiMoO및 Mn 산화물을 포함하고, 높은 비선형계수와 낮은 누설전류를 갖고 제조시 작업 안정성이 우수하며 특히 대략 800℃ 전후의 저온에서 소결이 가능하여 금속전극과의 동시 소성이 가능하므로 디스크형 또는 벌크형 바리스터, 또는 100% Ag 내부전극을 사용하여 적층형 바리스터 소자를 제조할 수 있어 제조단가를 낮출 수 있는 우수한 효과를 갖는다.
ZnO ZnO-BASED VARISTOR COMPOSITION AND MANUFACTURING METHOD AND VARISTOR THEREOF
ZnO계 바리스터 조성물과 그 조성물로 된 바리스터 및 이의 제조방법
HONG YOUN WOO (Autor:in) / PAIK JONG HOO (Autor:in) / CHO JEONG HO (Autor:in) / JEONG YOUNG HUN (Autor:in) / YUN JI SUN (Autor:in) / PARK WOON IK (Autor:in) / HA MAN JIN (Autor:in)
13.06.2019
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
ZnO ZnO-BASED VARISTOR COMPOSITION AND MANUFACTURING METHOD AND VARISTOR THEREOF
Europäisches Patentamt | 2018
|ZnO ZnO-BASED VARISTOR COMPOSITION AND MANUFACTURING METHOD AND VARISTOR THEREOF
Europäisches Patentamt | 2019
|ZnO ZnO-BASED VARISTOR COMPOSITION AND MANUFACTURING METHOD AND VARISTOR THEREOF
Europäisches Patentamt | 2019
|ZnO ZnO-BASED VARISTOR COMPOSITION AND MANUFACTURING METHOD AND VARISTOR THEREOF
Europäisches Patentamt | 2018
ZnO ZnO-BASED VARISTOR COMPOSITION AND MANUFACTURING METHOD AND VARISTOR THEREOF
Europäisches Patentamt | 2019
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