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COMPOSITE SINTERED BODY SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS MEMBER AND METHOD OF MANUFACTURING COMPOSITE SINTERED BODY
Provided by the present invention is a high density composite sintered body having high plasma corrosion resistance, high volume resistivity and high thermal conductivity. The composite sintered body includes AIN and MgAl_2O_4. The open porosity of the composite sintered body is less than 0.1%. The relative density of the composite sintered body is 99.5% or greater. The total content rate of AIN and MgAl_2O_4 in the composite sintered body is 95 wt% or greater and 100 wt% or less. The content rate of MgAl_2O_4 in the composite sintered body is 15 wt% or greater and 70 wt% or less. Accordingly, provided is the high density composite sintered body with high plasma corrosion resistance, high volume resistivity and high thermal conductivity.
높은 플라즈마 내식성, 높은 체적 저항률, 및 높은 열 전도율을 갖는 고밀도의 복합 소결체를 제공한다. 복합 소결체는 AlN과 MgAlO를 포함한다. 상기 복합 소결체의 개기공률은 0.1％ 미만이다. 상기 복합 소결체의 상대 밀도는 99.5％ 이상이다. 상기 복합 소결체에 있어서의 AlN 및 MgAlO의 합계 함유율은 95 중량％ 이상 100 중량％ 이하이다. 상기 복합 소결체에 있어서의 MgAlO의 함유율은 15 중량％ 이상 70 중량％ 이하이다. 이에 의해, 높은 플라즈마 내식성, 높은 체적 저항률 및 높은 열 전도율을 갖는 고밀도의 복합 소결체를 제공할 수 있다.
COMPOSITE SINTERED BODY SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS MEMBER AND METHOD OF MANUFACTURING COMPOSITE SINTERED BODY
Provided by the present invention is a high density composite sintered body having high plasma corrosion resistance, high volume resistivity and high thermal conductivity. The composite sintered body includes AIN and MgAl_2O_4. The open porosity of the composite sintered body is less than 0.1%. The relative density of the composite sintered body is 99.5% or greater. The total content rate of AIN and MgAl_2O_4 in the composite sintered body is 95 wt% or greater and 100 wt% or less. The content rate of MgAl_2O_4 in the composite sintered body is 15 wt% or greater and 70 wt% or less. Accordingly, provided is the high density composite sintered body with high plasma corrosion resistance, high volume resistivity and high thermal conductivity.
높은 플라즈마 내식성, 높은 체적 저항률, 및 높은 열 전도율을 갖는 고밀도의 복합 소결체를 제공한다. 복합 소결체는 AlN과 MgAlO를 포함한다. 상기 복합 소결체의 개기공률은 0.1％ 미만이다. 상기 복합 소결체의 상대 밀도는 99.5％ 이상이다. 상기 복합 소결체에 있어서의 AlN 및 MgAlO의 합계 함유율은 95 중량％ 이상 100 중량％ 이하이다. 상기 복합 소결체에 있어서의 MgAlO의 함유율은 15 중량％ 이상 70 중량％ 이하이다. 이에 의해, 높은 플라즈마 내식성, 높은 체적 저항률 및 높은 열 전도율을 갖는 고밀도의 복합 소결체를 제공할 수 있다.
COMPOSITE SINTERED BODY SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS MEMBER AND METHOD OF MANUFACTURING COMPOSITE SINTERED BODY
복합 소결체, 반도체 제조 장치 부재 및 복합 소결체의 제조 방법
YAGI EN (Autor:in) / KATSUDA YUJI (Autor:in)
02.10.2019
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
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