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PROCESS FOR MANUFACTURING A SILICON CARBIDE COATED BODY
본 발명은 디메틸디클로로실란(DMS)을 실란 공급원으로서 사용하여 화학 기상 증착 방법으로 SiC를 흑연 기판 상에 증착시킴으로써 탄화규소(SiC) 코팅된 몸체를 제조하기 위한 새로운 프로세스에 관한 것이다. 본 발명의 추가의 양상은, 본 발명의 새로운 프로세스에 의해 획득될 수 있는 새로운 탄화규소 코팅된 몸체 및 그의 사용에 관한 것이며, 그의 사용은 고온 응용들, 서셉터들 및 반응기들, 반도체 물질들, 및 웨이퍼를 위한 물품들을 제조하기 위한 것이다.
The present invention relates to a new process for manufacturing a silicon carbide (SiC) coated body by depositing SiC in a chemical vapor deposition method using dimethyldichlorosilane (DMS) as the silane source on a graphite substrate. A further aspect of the present invention relates to the new silicon carbide coated body, which can be obtained by the new process of the present invention, and to the use thereof for manufacturing articles for high temperature applications, susceptors and reactors, semiconductor materials, and wafer.
PROCESS FOR MANUFACTURING A SILICON CARBIDE COATED BODY
본 발명은 디메틸디클로로실란(DMS)을 실란 공급원으로서 사용하여 화학 기상 증착 방법으로 SiC를 흑연 기판 상에 증착시킴으로써 탄화규소(SiC) 코팅된 몸체를 제조하기 위한 새로운 프로세스에 관한 것이다. 본 발명의 추가의 양상은, 본 발명의 새로운 프로세스에 의해 획득될 수 있는 새로운 탄화규소 코팅된 몸체 및 그의 사용에 관한 것이며, 그의 사용은 고온 응용들, 서셉터들 및 반응기들, 반도체 물질들, 및 웨이퍼를 위한 물품들을 제조하기 위한 것이다.
The present invention relates to a new process for manufacturing a silicon carbide (SiC) coated body by depositing SiC in a chemical vapor deposition method using dimethyldichlorosilane (DMS) as the silane source on a graphite substrate. A further aspect of the present invention relates to the new silicon carbide coated body, which can be obtained by the new process of the present invention, and to the use thereof for manufacturing articles for high temperature applications, susceptors and reactors, semiconductor materials, and wafer.
PROCESS FOR MANUFACTURING A SILICON CARBIDE COATED BODY
탄화규소 코팅된 몸체를 제조하기 위한 프로세스
06.01.2023
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
PROCESS FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE COATED BODY
Europäisches Patentamt | 2020
|PROCESS FOR MANUFACTURING A SILICON CARBIDE COATED BODY
Europäisches Patentamt | 2019
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Europäisches Patentamt | 2024
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