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Composition for manufacturing silicon nitride substrate and silicon nitride substrate manufactured by the same
질화규소 기판 제조용 조성물이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 질화규소 기판 제조용 조성물은 질화규소계 분말 및 상기 질화규소계 분말의 입도분포 D50 보다 작은 입도분포 D50을 가지는 산화물계 소결조제를 포함하는 혼합분말을 포함하도록 구현된다. 이에 의하면, 소결체의 치밀성 및 열전도율이 우수하고, 굽힘강도나 내마모성 등의 기계적 강도가 우수한 동시에, 균일한 물성을 발현할 수 있는 효과가 있다.
Composition for manufacturing silicon nitride substrate and silicon nitride substrate manufactured by the same
질화규소 기판 제조용 조성물이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 질화규소 기판 제조용 조성물은 질화규소계 분말 및 상기 질화규소계 분말의 입도분포 D50 보다 작은 입도분포 D50을 가지는 산화물계 소결조제를 포함하는 혼합분말을 포함하도록 구현된다. 이에 의하면, 소결체의 치밀성 및 열전도율이 우수하고, 굽힘강도나 내마모성 등의 기계적 강도가 우수한 동시에, 균일한 물성을 발현할 수 있는 효과가 있다.
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질화규소 기판 제조용 조성물 및 이를 통해 제조된 질화규소 기판
AN YOUNG JUN (Autor:in) / LEE GIL SUN (Autor:in) / SHIN JUNG KYUN (Autor:in) / CHEONG HUN (Autor:in) / OH CHANG WOO (Autor:in)
02.09.2024
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
Europäisches Patentamt | 2024
|Europäisches Patentamt | 2024
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