Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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스퍼터링 타깃, 스퍼터링 타깃의 제조 방법, 산화물 박막, 박막 트랜지스터, 및 전자 기기
산화인듐을 주성분으로서 포함하는 산화물 소결체를 구비하는 스퍼터링 타깃으로서, 상기 산화물 소결체는, 함유 수소 농도가, 5×1016 atoms/㎤ 이상이며, In (인듐) 원소와 O (산소) 원소의 원자 농도비 (O 원소/In 원소) 가, 1.3 이상, 2.5 미만이며, 아르키메데스법에 의해 측정되는 상기 산화물 소결체의 밀도가, 6.0 g/㎤ 이상인, 스퍼터링 타깃.
A sputtering target comprising an oxide sintered body containing indium oxide as the main component, wherein the oxide sintered body has a contained hydrogen concentration of 5×1016 atoms/cm3 or greater, the atomic concentration ratio (O element/In element) of indium (In) element and oxygen (O) element is at least 1.3 to less than 2.5, and the density of the oxide sintered body measured by the Archimedes method is 6.0 g/cm3 or greater.
스퍼터링 타깃, 스퍼터링 타깃의 제조 방법, 산화물 박막, 박막 트랜지스터, 및 전자 기기
산화인듐을 주성분으로서 포함하는 산화물 소결체를 구비하는 스퍼터링 타깃으로서, 상기 산화물 소결체는, 함유 수소 농도가, 5×1016 atoms/㎤ 이상이며, In (인듐) 원소와 O (산소) 원소의 원자 농도비 (O 원소/In 원소) 가, 1.3 이상, 2.5 미만이며, 아르키메데스법에 의해 측정되는 상기 산화물 소결체의 밀도가, 6.0 g/㎤ 이상인, 스퍼터링 타깃.
A sputtering target comprising an oxide sintered body containing indium oxide as the main component, wherein the oxide sintered body has a contained hydrogen concentration of 5×1016 atoms/cm3 or greater, the atomic concentration ratio (O element/In element) of indium (In) element and oxygen (O) element is at least 1.3 to less than 2.5, and the density of the oxide sintered body measured by the Archimedes method is 6.0 g/cm3 or greater.
스퍼터링 타깃, 스퍼터링 타깃의 제조 방법, 산화물 박막, 박막 트랜지스터, 및 전자 기기
SASAKI DAICHI (Autor:in) / KAIJO AKIRA (Autor:in) / OYAMA MASASHI (Autor:in) / KAWASHIMA EMI (Autor:in)
28.11.2024
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
스퍼터링 타깃, 스퍼터링 타깃의 제조 방법, 결정 산화물 박막, 박막 트랜지스터, 및 전자 기기
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