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SEMICONDUCTOR CERAMIC COMPOSITION AND PTC ELEMENT
The purpose of the present invention is to provide a semiconductor ceramic composition having a high temperature coefficient of resistance α. Moreover, the purpose is to provide a PTC element in which the semiconductor ceramic composition forms an electrode. Provided is a semiconductor ceramic composition which is lead-free and in which a portion of the Ba in a BaTiO3 oxide has been replaced by Bi and A (where A is at least one alkali metal element and Na is essential), wherein the semiconductor ceramic composition is characterized in that the amount of Na at the grain boundary of crystal grains is 3 mol% or greater. The temperature coefficient of resistance is preferably 4.5%/˚C or greater.
L'objet de la présente invention est de fournir une composition de céramique semi-conductrice présentant un coefficient de température de résistance α élevé. De plus, l'objet de l'invention est de fournir un élément à CTP dans lequel la composition de céramique semi-conductrice forme une électrode. L'invention concerne une composition de céramique semi-conductrice qui est exempte de plomb et dans laquelle une partie du Ba dans un oxyde de type BaTiO3 a été remplacée par du Bi et A (A représentant au moins un élément de métal alcalin et Na étant essentiel), la composition de céramique semi-conductrice étant caractérisée en ce que la quantité de Na au niveau du joint des grains des cristaux est supérieure ou égale à 3 % en moles. Le coefficient de température de résistance est de préférence supérieur ou égal à 4,5 %/°C.
本発明は、抵抗温度係数αの高い半導体磁器組成物を提供することを目的とする。また、その半導体磁器組成物に電極が形成されたPTC素子を提供することを目的とする。 BaTiO3系酸化物におけるBaの一部をBiおよびA（Aはアルカリ金属の少なくとも一種の元素であってをNaを必須で含む）で置換した非鉛の半導体磁器組成物であって、結晶粒の粒界におけるNa量が3mol％以上であることを特徴とする。抵抗温度係数は4.5％／℃以上であることが好ましい。
SEMICONDUCTOR CERAMIC COMPOSITION AND PTC ELEMENT
The purpose of the present invention is to provide a semiconductor ceramic composition having a high temperature coefficient of resistance α. Moreover, the purpose is to provide a PTC element in which the semiconductor ceramic composition forms an electrode. Provided is a semiconductor ceramic composition which is lead-free and in which a portion of the Ba in a BaTiO3 oxide has been replaced by Bi and A (where A is at least one alkali metal element and Na is essential), wherein the semiconductor ceramic composition is characterized in that the amount of Na at the grain boundary of crystal grains is 3 mol% or greater. The temperature coefficient of resistance is preferably 4.5%/˚C or greater.
L'objet de la présente invention est de fournir une composition de céramique semi-conductrice présentant un coefficient de température de résistance α élevé. De plus, l'objet de l'invention est de fournir un élément à CTP dans lequel la composition de céramique semi-conductrice forme une électrode. L'invention concerne une composition de céramique semi-conductrice qui est exempte de plomb et dans laquelle une partie du Ba dans un oxyde de type BaTiO3 a été remplacée par du Bi et A (A représentant au moins un élément de métal alcalin et Na étant essentiel), la composition de céramique semi-conductrice étant caractérisée en ce que la quantité de Na au niveau du joint des grains des cristaux est supérieure ou égale à 3 % en moles. Le coefficient de température de résistance est de préférence supérieur ou égal à 4,5 %/°C.
本発明は、抵抗温度係数αの高い半導体磁器組成物を提供することを目的とする。また、その半導体磁器組成物に電極が形成されたPTC素子を提供することを目的とする。 BaTiO3系酸化物におけるBaの一部をBiおよびA（Aはアルカリ金属の少なくとも一種の元素であってをNaを必須で含む）で置換した非鉛の半導体磁器組成物であって、結晶粒の粒界におけるNa量が3mol％以上であることを特徴とする。抵抗温度係数は4.5％／℃以上であることが好ましい。
SEMICONDUCTOR CERAMIC COMPOSITION AND PTC ELEMENT
COMPOSITION DE CÉRAMIQUE SEMI-CONDUCTRICE ET ÉLÉMENT À CTP
半導体磁器組成物およびＰＴＣ素子
SHIMADA TAKESHI (Autor:in) / INO KENTARO (Autor:in) / UEDA ITARU (Autor:in)
07.01.2016
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
| Europäisches Patentamt | 2017
| Europäisches Patentamt | 2016
| Europäisches Patentamt | 2015
Semiconductor ceramic and semiconductor ceramic element
| Europäisches Patentamt | 2016