Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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OXIDE SINTERED BODY AND TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE FILM
The purpose of the present invention is to provide: an oxide sintered body which enables the achievement of a transparent conductive oxide film that exhibits low light absorption characteristics over a wide wavelength range, while having a low resistance; and a transparent conductive oxide film. The present invention uses an oxide sintered body which contains, as constituent elements, indium, hafnium, tantalum and oxygen, and wherein if indium, hafnium and tantalum are respectively represented by In, Hf and Ta, Hf/(In + Hf + Ta) is 0.2-3.0 at% and Ta/( In + Hf + Ta) is 0.02-1.3 at% in terms of atomic ratio.
La présente invention concerne : un corps d'oxyde fritté qui permet d'obtenir un film d'oxyde conducteur transparent présentant de faibles caractéristiques d'absorption de lumière sur une large plage de longueurs d'onde, tout en possédant une faible résistance ; et un film d'oxyde conducteur transparent. La présente invention utilise un corps d'oxyde fritté qui comporte, en guise d'éléments constitutifs, de l'indium, de l'hafnium, du tantale et de l'oxygène. Et si l'indium, l'hafnium et le tantale sont respectivement représentés par In, Hf et Ta, Hf/(In + Hf + Ta) est de 0,2 à 3,0 % at et Ta/( In + Hf + Ta) est de 0,02 à 1,3 % at en termes de rapport atomique.
本発明は、広い波長域に渡ってより低い光吸収特性を示し、かつ低抵抗の酸化物透明導電膜を得ることができる酸化物焼結体、及び酸化物透明導電膜を提供することを目的とする。 構成元素としてインジウム、ハフニウム、タンタル及び酸素を有する酸化物焼結体であって、インジウム、ハフニウム及びタンタルをそれぞれＩｎ、Ｈｆ及びＴａとしたときに、原子比でＨｆ／（Ｉｎ＋Ｈｆ＋Ｔａ）が０．２～３．０ａｔ％、Ｔａ／（Ｉｎ＋Ｈｆ＋Ｔａ）が０．０２～１．３ａｔ％である酸化物焼結体を使用する。
OXIDE SINTERED BODY AND TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE FILM
The purpose of the present invention is to provide: an oxide sintered body which enables the achievement of a transparent conductive oxide film that exhibits low light absorption characteristics over a wide wavelength range, while having a low resistance; and a transparent conductive oxide film. The present invention uses an oxide sintered body which contains, as constituent elements, indium, hafnium, tantalum and oxygen, and wherein if indium, hafnium and tantalum are respectively represented by In, Hf and Ta, Hf/(In + Hf + Ta) is 0.2-3.0 at% and Ta/( In + Hf + Ta) is 0.02-1.3 at% in terms of atomic ratio.
La présente invention concerne : un corps d'oxyde fritté qui permet d'obtenir un film d'oxyde conducteur transparent présentant de faibles caractéristiques d'absorption de lumière sur une large plage de longueurs d'onde, tout en possédant une faible résistance ; et un film d'oxyde conducteur transparent. La présente invention utilise un corps d'oxyde fritté qui comporte, en guise d'éléments constitutifs, de l'indium, de l'hafnium, du tantale et de l'oxygène. Et si l'indium, l'hafnium et le tantale sont respectivement représentés par In, Hf et Ta, Hf/(In + Hf + Ta) est de 0,2 à 3,0 % at et Ta/( In + Hf + Ta) est de 0,02 à 1,3 % at en termes de rapport atomique.
本発明は、広い波長域に渡ってより低い光吸収特性を示し、かつ低抵抗の酸化物透明導電膜を得ることができる酸化物焼結体、及び酸化物透明導電膜を提供することを目的とする。 構成元素としてインジウム、ハフニウム、タンタル及び酸素を有する酸化物焼結体であって、インジウム、ハフニウム及びタンタルをそれぞれＩｎ、Ｈｆ及びＴａとしたときに、原子比でＨｆ／（Ｉｎ＋Ｈｆ＋Ｔａ）が０．２～３．０ａｔ％、Ｔａ／（Ｉｎ＋Ｈｆ＋Ｔａ）が０．０２～１．３ａｔ％である酸化物焼結体を使用する。
OXIDE SINTERED BODY AND TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE FILM
CORPS D'OXYDE FRITTÉ ET FILM D'OXYDE CONDUCTEUR TRANSPARENT
酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜
AKIIKE RYO (Autor:in) / TSUCHIDA YUYA (Autor:in) / KURAMOCHI HIDETO (Autor:in)
31.08.2017
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
Oxide sintered body and transparent conductive oxide film
| Europäisches Patentamt | 2020
OXIDE SINTERED BODY AND TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE FILM
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