Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND METHODS FOR MAKING SAME
An oxide sintered body that includes 50 to 500 ppm of zirconium, and satisfies formulas (1) to (3) when the percentages (atom%) of contents of zinc, indium, gallium, and tin with respect to all metal elements excluding oxygen are, respectively, [Zn], [In], [Ga], and [Sn]. 35 atom%≤[Zn]≤55 atom% (1) 20 atom%≤([In]+[Ga])≤55 atom% (2) 5 atom%≤[Sn]≤25 atom% (3)
L'invention concerne un corps fritté d'oxyde qui comprend de 50 à 500 ppm de zirconium, et satisfait aux formules (1) à (3) lorsque les pourcentages (% atomique) de teneurs en zinc, en indium, en gallium et en étain par rapport à tous les éléments métalliques à l'exclusion de l'oxygène sont, respectivement, [Zn], [In], [Ga] et [Sn]. 35 % atomique ≤ [Zn] ≤ 55 % atomique (1) 20 % atomique ≤ ([In] + [Ga]) ≤ 55 % atomique (2) 5 % atomique ≤ [Sn] ≤ 25 % atomique (3)
ジルコニウムを５０～５００ｐｐｍ含有し、酸素を除く全金属元素に対する、亜鉛、インジウム、ガリウム及び錫の含有量の割合（原子％）を夫々、［Ｚｎ］、［Ｉｎ］、［Ｇａ］及び［Ｓｎ］としたとき、下記式（１）～（３）を満足する酸化物焼結体である。 ３５原子％≦［Ｚｎ］≦５５原子％・・・（１） ２０原子％≦（［Ｉｎ］＋［Ｇａ］）≦５５原子％・・・（２） ５原子％≦［Ｓｎ］≦２５原子％・・・（３）
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND METHODS FOR MAKING SAME
An oxide sintered body that includes 50 to 500 ppm of zirconium, and satisfies formulas (1) to (3) when the percentages (atom%) of contents of zinc, indium, gallium, and tin with respect to all metal elements excluding oxygen are, respectively, [Zn], [In], [Ga], and [Sn]. 35 atom%≤[Zn]≤55 atom% (1) 20 atom%≤([In]+[Ga])≤55 atom% (2) 5 atom%≤[Sn]≤25 atom% (3)
L'invention concerne un corps fritté d'oxyde qui comprend de 50 à 500 ppm de zirconium, et satisfait aux formules (1) à (3) lorsque les pourcentages (% atomique) de teneurs en zinc, en indium, en gallium et en étain par rapport à tous les éléments métalliques à l'exclusion de l'oxygène sont, respectivement, [Zn], [In], [Ga] et [Sn]. 35 % atomique ≤ [Zn] ≤ 55 % atomique (1) 20 % atomique ≤ ([In] + [Ga]) ≤ 55 % atomique (2) 5 % atomique ≤ [Sn] ≤ 25 % atomique (3)
ジルコニウムを５０～５００ｐｐｍ含有し、酸素を除く全金属元素に対する、亜鉛、インジウム、ガリウム及び錫の含有量の割合（原子％）を夫々、［Ｚｎ］、［Ｉｎ］、［Ｇａ］及び［Ｓｎ］としたとき、下記式（１）～（３）を満足する酸化物焼結体である。 ３５原子％≦［Ｚｎ］≦５５原子％・・・（１） ２０原子％≦（［Ｉｎ］＋［Ｇａ］）≦５５原子％・・・（２） ５原子％≦［Ｓｎ］≦２５原子％・・・（３）
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND METHODS FOR MAKING SAME
CORPS FRITTÉ D'OXYDE, CIBLE DE PULVÉRISATION ET LEURS PROCÉDÉS DE PRODUCTION
酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにそれらの製造方法
TAO YUKI (Autor:in) / NAKANE YASUO (Autor:in) / HATA HIDEO (Autor:in)
19.10.2017
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND METHODS FOR MANUFACTURING SAME
| Europäisches Patentamt | 2017
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
| Europäisches Patentamt | 2017
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
| Europäisches Patentamt | 2016
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
Europäisches Patentamt | 2018