Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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MEMORY CELLS, INTEGRATED STRUCTURES AND MEMORY ARRAYS
Some embodiments include a memory cell which has, in the following order; a control gate, charge-blocking material, charge- trapping material, a first oxide, a charge-passage structure, a second oxide, and channel material. The charge-passage structure has a central region sandwiched between first and second regions. The central region has a lower probability of trapping charges and/or a lower rate of trapping charges than the first and second regions. Some embodiments include an integrated structure having a vertical stack of alternating conductive levels and insulative levels, and having a charge-passage structure extending vertically along the vertical stack. Some embodiments include a NAN D memory array having a vertical stack of alternating insulative levels and wordline levels, and having a charge-passage structure extending vertically along the vertical stack.
Certains modes de réalisation de la présente invention comprennent une cellule mémoire qui présente, dans l'ordre suivant : une grille de commande, un matériau de blocage de charge, un matériau de piégeage de charge, un premier oxyde, une structure de passage de charge, un second oxyde et un matériau de canal. La structure de passage de charge présente une région centrale prise en sandwich entre des première et seconde régions. La région centrale a une probabilité plus faible de piégeage de charges et/ou un taux plus faible de piégeage de charges que les première et seconde régions. Certains modes de réalisation comprennent une structure intégrée ayant un empilement vertical de niveaux conducteurs et de niveaux isolants alternés, et ayant une structure de passage de charge s'étendant verticalement le long de la pile verticale. Certains modes de réalisation comprennent une matrice mémoire NAN D ayant une pile verticale de niveaux d'isolation et de niveaux de ligne de mots alternés, et ayant une structure de passage de charge s'étendant verticalement le long de la pile verticale.
MEMORY CELLS, INTEGRATED STRUCTURES AND MEMORY ARRAYS
Some embodiments include a memory cell which has, in the following order; a control gate, charge-blocking material, charge- trapping material, a first oxide, a charge-passage structure, a second oxide, and channel material. The charge-passage structure has a central region sandwiched between first and second regions. The central region has a lower probability of trapping charges and/or a lower rate of trapping charges than the first and second regions. Some embodiments include an integrated structure having a vertical stack of alternating conductive levels and insulative levels, and having a charge-passage structure extending vertically along the vertical stack. Some embodiments include a NAN D memory array having a vertical stack of alternating insulative levels and wordline levels, and having a charge-passage structure extending vertically along the vertical stack.
Certains modes de réalisation de la présente invention comprennent une cellule mémoire qui présente, dans l'ordre suivant : une grille de commande, un matériau de blocage de charge, un matériau de piégeage de charge, un premier oxyde, une structure de passage de charge, un second oxyde et un matériau de canal. La structure de passage de charge présente une région centrale prise en sandwich entre des première et seconde régions. La région centrale a une probabilité plus faible de piégeage de charges et/ou un taux plus faible de piégeage de charges que les première et seconde régions. Certains modes de réalisation comprennent une structure intégrée ayant un empilement vertical de niveaux conducteurs et de niveaux isolants alternés, et ayant une structure de passage de charge s'étendant verticalement le long de la pile verticale. Certains modes de réalisation comprennent une matrice mémoire NAN D ayant une pile verticale de niveaux d'isolation et de niveaux de ligne de mots alternés, et ayant une structure de passage de charge s'étendant verticalement le long de la pile verticale.
MEMORY CELLS, INTEGRATED STRUCTURES AND MEMORY ARRAYS
CELLULES MÉMOIRES, STRUCTURES INTÉGRÉES ET MATRICES MÉMOIRES
CARLSON CHRIS M (Autor:in) / BARCLAY M JARED (Autor:in)
26.07.2018
Patent
Elektronische Ressource
Englisch
IPC:
H10B
MEMORY ARRAYS AND METHODS USED IN FORMING A MEMORY ARRAY COMPRISING STRINGS OF MEMORY CELLS
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Memory Effect in Magnetic Nanowire Arrays
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Ni-doped TiO2 nanotube arrays on shape memory alloy
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