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A magneto resistive device (100) may include a tunnel barrier region, a magnetically fixed region (20) positioned on one side of the tunnel barrier region (30), and a magnetically free region (50) positioned on an opposite side of the tunnel barrier region. The magnetically free region may include a plurality of ferromagnetic regions (34, 36) and at least one non magnetic insertion region (38). At least one ferromagnetic region of the plurality of ferromagnetic regions may include a multilayer structure comprising a first layer of cobalt, and a second layer including at least one of platinum or palladium.
L'invention concerne un dispositif magnétorésistif (100) qui peut comprendre une région de barrière de tunnel, une région magnétiquement fixe (20) positionnée sur un côté de la région de barrière de tunnel (30), et une région magnétiquement libre (50) positionnée sur un côté opposé de la région de barrière de tunnel. La région magnétiquement libre peut comprendre une pluralité de régions ferromagnétiques (34, 36) et au moins une région d'insertion non magnétique (38). Au moins une région ferromagnétique de la pluralité de régions ferromagnétiques peut comprendre une structure multicouche comprenant une première couche de cobalt, et une seconde couche comprenant au moins l'un parmi le platine ou le palladium.
A magneto resistive device (100) may include a tunnel barrier region, a magnetically fixed region (20) positioned on one side of the tunnel barrier region (30), and a magnetically free region (50) positioned on an opposite side of the tunnel barrier region. The magnetically free region may include a plurality of ferromagnetic regions (34, 36) and at least one non magnetic insertion region (38). At least one ferromagnetic region of the plurality of ferromagnetic regions may include a multilayer structure comprising a first layer of cobalt, and a second layer including at least one of platinum or palladium.
L'invention concerne un dispositif magnétorésistif (100) qui peut comprendre une région de barrière de tunnel, une région magnétiquement fixe (20) positionnée sur un côté de la région de barrière de tunnel (30), et une région magnétiquement libre (50) positionnée sur un côté opposé de la région de barrière de tunnel. La région magnétiquement libre peut comprendre une pluralité de régions ferromagnétiques (34, 36) et au moins une région d'insertion non magnétique (38). Au moins une région ferromagnétique de la pluralité de régions ferromagnétiques peut comprendre une structure multicouche comprenant une première couche de cobalt, et une seconde couche comprenant au moins l'un parmi le platine ou le palladium.
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Printable Giant Magnetoresistive Devices
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