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JOINED BODY OF PIEZOELECTRIC SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE AND SUPPORT SUBSTRATE
[Problem] A joined body 8 (8A) of a support substrate 3 and a piezoelectric single-crystal substrate 1 (1A) comprising lithium niobate or the like, wherein warping of the joined body during heating is suppressed. [Solution] A joined body 8 (8A) is provided with: a support substrate 3; a piezoelectric single-crystal substrate 1 (1A) comprising a material selected from the group consisting of lithium niobate, lithium tantalate, and lithium niobate-lithium tantalate; and an amorphous layer 7 interposed between the support substrate 3 and the piezoelectric single-crystal substrate 1 (1A), the amorphous layer 7 including one or more types of metal atoms selected from the group consisting of niobium and tantalum, an atom constituting the support substrate 3, and an argon atom. The concentration of argon atoms in the center of the amorphous layer 7 is higher than the concentration of argon atoms in the peripheral edge part of the amorphous layer 7.
Le problème à la base de l'invention concerne un corps assemblé 8 (8A) d'un substrat de support 3 et un substrat piézoélectrique monocristallin 1 (1A) comprenant du niobate de lithium ou similaire, le gauchissement du corps assemblé pendant le chauffage étant supprimé. La solution de l'invention porte sur un corps assemblé 8 (8A) qui est pourvu de : un substrat de support 3 ; un substrat piézoélectrique monocristallin 1 (1A) comprenant un matériau choisi dans le groupe constitué par le niobate de lithium, le tantalate de lithium et le niobate de lithium-tantalate de lithium ; et une couche amorphe 7 interposée entre le substrat de support 3 et le substrat piézoélectrique monocristallin 1 (1A), la couche amorphe 7 comprenant un ou plusieurs types d'atomes métalliques choisis dans le groupe constitué par le niobium et le tantale, un atome constituant le substrat de support 3 et un atome d'argon. La concentration en atomes d'argon au centre de la couche amorphe 7 est supérieure à la concentration en atomes d'argon dans la partie de bord périphérique de la couche amorphe 7.
【課題】ニオブ酸リチウム等からなる圧電性単結晶基板１（１Ａ）と支持基板３との接合体８（８Ａ）において、加熱時の接合体の反りを抑制する。 【解決手段】接合体８（８Ａ）は、支持基板３、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムおよびニオブ酸リチウム－タンタル酸リチウムからなる群より選ばれた材質からなる圧電性単結晶基板１（１Ａ）、および支持基板３と圧電性単結晶基板１（１Ａ）との間に存在する非晶質層７であって、ニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の金属原子、支持基板３を構成する原子およびアルゴン原子を含む非晶質層７を備える。非晶質層７の中央部におけるアルゴン原子の濃度が非晶質層７の周縁部におけるアルゴン原子の濃度よりも高い。
JOINED BODY OF PIEZOELECTRIC SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE AND SUPPORT SUBSTRATE
[Problem] A joined body 8 (8A) of a support substrate 3 and a piezoelectric single-crystal substrate 1 (1A) comprising lithium niobate or the like, wherein warping of the joined body during heating is suppressed. [Solution] A joined body 8 (8A) is provided with: a support substrate 3; a piezoelectric single-crystal substrate 1 (1A) comprising a material selected from the group consisting of lithium niobate, lithium tantalate, and lithium niobate-lithium tantalate; and an amorphous layer 7 interposed between the support substrate 3 and the piezoelectric single-crystal substrate 1 (1A), the amorphous layer 7 including one or more types of metal atoms selected from the group consisting of niobium and tantalum, an atom constituting the support substrate 3, and an argon atom. The concentration of argon atoms in the center of the amorphous layer 7 is higher than the concentration of argon atoms in the peripheral edge part of the amorphous layer 7.
Le problème à la base de l'invention concerne un corps assemblé 8 (8A) d'un substrat de support 3 et un substrat piézoélectrique monocristallin 1 (1A) comprenant du niobate de lithium ou similaire, le gauchissement du corps assemblé pendant le chauffage étant supprimé. La solution de l'invention porte sur un corps assemblé 8 (8A) qui est pourvu de : un substrat de support 3 ; un substrat piézoélectrique monocristallin 1 (1A) comprenant un matériau choisi dans le groupe constitué par le niobate de lithium, le tantalate de lithium et le niobate de lithium-tantalate de lithium ; et une couche amorphe 7 interposée entre le substrat de support 3 et le substrat piézoélectrique monocristallin 1 (1A), la couche amorphe 7 comprenant un ou plusieurs types d'atomes métalliques choisis dans le groupe constitué par le niobium et le tantale, un atome constituant le substrat de support 3 et un atome d'argon. La concentration en atomes d'argon au centre de la couche amorphe 7 est supérieure à la concentration en atomes d'argon dans la partie de bord périphérique de la couche amorphe 7.
【課題】ニオブ酸リチウム等からなる圧電性単結晶基板１（１Ａ）と支持基板３との接合体８（８Ａ）において、加熱時の接合体の反りを抑制する。 【解決手段】接合体８（８Ａ）は、支持基板３、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムおよびニオブ酸リチウム－タンタル酸リチウムからなる群より選ばれた材質からなる圧電性単結晶基板１（１Ａ）、および支持基板３と圧電性単結晶基板１（１Ａ）との間に存在する非晶質層７であって、ニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の金属原子、支持基板３を構成する原子およびアルゴン原子を含む非晶質層７を備える。非晶質層７の中央部におけるアルゴン原子の濃度が非晶質層７の周縁部におけるアルゴン原子の濃度よりも高い。
JOINED BODY OF PIEZOELECTRIC SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE AND SUPPORT SUBSTRATE
CORPS ASSEMBLÉ D'UN SUBSTRAT PIÉZOÉLECTRIQUE MONOCRISTALLIN ET D'UN SUBSTRAT DE SUPPORT
圧電性単結晶基板と支持基板との接合体
TAI TOMOYOSHI (Autor:in) / HATTORI RYOSUKE (Autor:in)
21.11.2019
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
JOINED SUBSTRATE AND PRODUCTION METHOD OF JOINED SUBSTRATE
| Europäisches Patentamt | 2019
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JOINED BODY, SUBSTRATE FOR POWER MODULE, POWER MODULE, AND METHOD FOR PRODUCING JOINED BODY
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