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COMPOUND
A compound that is formed of indium (In), gallium (Ga), aluminum (Al) and oxygen (O) elements and has lattice constants of a=10.07±0.15 Å, b=10.45±0.15 Å, c=11.01±0.15 Å, α=111.70±0.50°, β=107.70±0.50° and γ=90.00±0.50° with a crystal system of a triclinic system.
L'invention concerne un composé qui est formé d'éléments d'indium (In), de gallium (Ga), d'aluminium (Al) et d'oxygène (O) et a des constantes de réseau de a = 10,07 ± 0,15 Å, b = 10,45 ± 0,15 Å, c = 11,01 ± 0,15 Å, α= 111,70 ± 0,50°, β= 107,70 ± 0,50° et γ= 90,00 ± 0,50° avec un système cristallin d'un système triclinique.
インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、アルミニウム元素（Ａｌ）及び酸素元素（Ｏ）から形成され、格子定数が、ａ＝１０．０７±０．１５Å，ｂ＝１０．４５±０．１５Å，ｃ＝１１．０１±０．１５Å，α＝１１１．７０±０．５０°，β＝１０７．７０±０．５０°，及びγ＝９０．００±０．５０°であり、結晶系が三斜晶を示す化合物。
COMPOUND
A compound that is formed of indium (In), gallium (Ga), aluminum (Al) and oxygen (O) elements and has lattice constants of a=10.07±0.15 Å, b=10.45±0.15 Å, c=11.01±0.15 Å, α=111.70±0.50°, β=107.70±0.50° and γ=90.00±0.50° with a crystal system of a triclinic system.
L'invention concerne un composé qui est formé d'éléments d'indium (In), de gallium (Ga), d'aluminium (Al) et d'oxygène (O) et a des constantes de réseau de a = 10,07 ± 0,15 Å, b = 10,45 ± 0,15 Å, c = 11,01 ± 0,15 Å, α= 111,70 ± 0,50°, β= 107,70 ± 0,50° et γ= 90,00 ± 0,50° avec un système cristallin d'un système triclinique.
インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、アルミニウム元素（Ａｌ）及び酸素元素（Ｏ）から形成され、格子定数が、ａ＝１０．０７±０．１５Å，ｂ＝１０．４５±０．１５Å，ｃ＝１１．０１±０．１５Å，α＝１１１．７０±０．５０°，β＝１０７．７０±０．５０°，及びγ＝９０．００±０．５０°であり、結晶系が三斜晶を示す化合物。
COMPOUND
COMPOSÉ
化合物
SASAKI KENICHI (Autor:in) / KAWASHIMA EMI (Autor:in) / INOUE KAZUYOSHI (Autor:in) / SHIBATA MASATOSHI (Autor:in) / YAO ATSUSHI (Autor:in)
06.02.2020
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch