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MODIFIED DOUBLE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION STRUCTURE SUITABLE FOR BEOL INTEGRATION
A modified double magnet tunnel junction (mDMTJ) structure (100) is provided which includes a non-magnetic, spin-conducting metallic layer (106) sandwiched between a magnetic free layer (108) and a first tunnel barrier layer (104); the first tunnel barrier layer (104) contacts a first magnetic reference layer (102). A second tunnel barrier layer (110) is located on the magnetic free layer (108) and a second magnetic reference layer (112) is located on the second tunnel barrier layer (110). The mDMTJ structure (100) exhibits efficient switching and speedy readout.
L'invention concerne une structure de jonction tunnel à double aimant modifiée (mDMTJ)) (100) qui comprend une couche métallique non magnétique et conductrice de spin (106) prise en sandwich entre une couche libre magnétique (108) et une première couche de barrière de tunnel (104) ; la première couche de barrière de tunnel (104) entre en contact avec une première couche de référence magnétique (102). Une seconde couche de barrière de tunnel (110) est située sur la couche libre magnétique (108) et une seconde couche de référence magnétique (112) est située sur la seconde couche de barrière de tunnel (110). La structure de mDMTJ (100) présente une commutation efficace et une lecture rapide.
MODIFIED DOUBLE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION STRUCTURE SUITABLE FOR BEOL INTEGRATION
A modified double magnet tunnel junction (mDMTJ) structure (100) is provided which includes a non-magnetic, spin-conducting metallic layer (106) sandwiched between a magnetic free layer (108) and a first tunnel barrier layer (104); the first tunnel barrier layer (104) contacts a first magnetic reference layer (102). A second tunnel barrier layer (110) is located on the magnetic free layer (108) and a second magnetic reference layer (112) is located on the second tunnel barrier layer (110). The mDMTJ structure (100) exhibits efficient switching and speedy readout.
L'invention concerne une structure de jonction tunnel à double aimant modifiée (mDMTJ)) (100) qui comprend une couche métallique non magnétique et conductrice de spin (106) prise en sandwich entre une couche libre magnétique (108) et une première couche de barrière de tunnel (104) ; la première couche de barrière de tunnel (104) entre en contact avec une première couche de référence magnétique (102). Une seconde couche de barrière de tunnel (110) est située sur la couche libre magnétique (108) et une seconde couche de référence magnétique (112) est située sur la seconde couche de barrière de tunnel (110). La structure de mDMTJ (100) présente une commutation efficace et une lecture rapide.
MODIFIED DOUBLE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION STRUCTURE SUITABLE FOR BEOL INTEGRATION
STRUCTURE DE JONCTION TUNNEL MAGNÉTIQUE DOUBLE MODIFIÉE APPROPRIÉE POUR UNE INTÉGRATION DE BEOL
SUN JONATHAN ZANHONG (Autor:in)
06.05.2021
Patent
Elektronische Ressource
Englisch
IPC:
H10N
Magnetic tunnel junction (MTJ) and magnetic tunnel junction (MTJ) array
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