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MODIFICATION LAYER ON SURFACE OF CERAMIC SUBSTRATE AND PREPARATION METHOD THEREFOR, CERAMIC HEATING BODY AND ELECTRONIC ATOMIZATION DEVICE
Provided are a modification layer (102) on the surface of a ceramic substrate (101) and a preparation method therefor, a ceramic heating body and an electronic atomization device. The modification layer (102) on the surface of a ceramic substrate (101) comprises the following components in parts by weight: 56-67.5 parts of silicon dioxide, 12-18 parts of aluminum oxide, and 2.8-5.5 parts of lithium oxide. Proposed is a novel modification layer (102) on the surface of a ceramic substrate (101), which features reasonable component mixing and proportioning, namely, lithium oxide, aluminum oxide and silicon dioxide are reasonably mixed, so that the obtained modification layer (102) on the surface of the ceramic substrate (101) has a high degree of thermal matching with the ceramic substrate (101), the thermal shock resistance is good, and microcracks are not likely to be generated in the process of firing and repeated impact of thermal cycles.
L'invention concerne une couche de modification (102) disposée sur la surface d'un substrat en céramique (101) et un procédé de préparation s'y rapportant, un corps chauffant en céramique et un dispositif d'atomisation électronique. La couche de modification (102) disposée sur la surface d'un substrat en céramique (101) comprend les composants suivants en parties en poids : 56 à 67,5 parties de dioxyde de silicium, 12 à 18 parties d'oxyde d'aluminium et 2,8 à 5,5 parties d'oxyde de lithium. La nouvelle couche de modification (102) disposée sur la surface d'un substrat en céramique (101) selon l'invention est caractérisée par des mélange et dosage raisonnables de composants, à savoir que l'oxyde de lithium, l'oxyde d'aluminium et le dioxyde de silicium sont mélangés de façon raisonnable, de sorte que la couche de modification obtenue (102) disposée sur la surface du substrat en céramique (101) a un degré élevé de correspondance thermique avec le substrat en céramique (101), la résistance au choc thermique est bonne et des microfissures ne sont pas susceptibles de se produire dans le procédé de cuisson et d'impacts répétés de cycles thermiques.
涉及一种陶瓷基体（101）表面的修饰层（102）及其制备方法、陶瓷发热体及电子雾化装置。其中，一种陶瓷基体（101）表面的修饰层（102）包括如下质量份的组分：56-67.5份二氧化硅、12-18份氧化铝和2.8-5.5份氧化锂。提出了一种新型的陶瓷基体（101）表面的修饰层（102），其组分搭配和配比合理，即氧化锂、氧化铝和二氧化硅合理搭配，制得的陶瓷基体（101）的表面修饰层（102）与陶瓷基体（101）的热匹配度高，抗热震性好，在烧制和热循环反复冲击过程中，也不易产生微裂纹。
MODIFICATION LAYER ON SURFACE OF CERAMIC SUBSTRATE AND PREPARATION METHOD THEREFOR, CERAMIC HEATING BODY AND ELECTRONIC ATOMIZATION DEVICE
Provided are a modification layer (102) on the surface of a ceramic substrate (101) and a preparation method therefor, a ceramic heating body and an electronic atomization device. The modification layer (102) on the surface of a ceramic substrate (101) comprises the following components in parts by weight: 56-67.5 parts of silicon dioxide, 12-18 parts of aluminum oxide, and 2.8-5.5 parts of lithium oxide. Proposed is a novel modification layer (102) on the surface of a ceramic substrate (101), which features reasonable component mixing and proportioning, namely, lithium oxide, aluminum oxide and silicon dioxide are reasonably mixed, so that the obtained modification layer (102) on the surface of the ceramic substrate (101) has a high degree of thermal matching with the ceramic substrate (101), the thermal shock resistance is good, and microcracks are not likely to be generated in the process of firing and repeated impact of thermal cycles.
L'invention concerne une couche de modification (102) disposée sur la surface d'un substrat en céramique (101) et un procédé de préparation s'y rapportant, un corps chauffant en céramique et un dispositif d'atomisation électronique. La couche de modification (102) disposée sur la surface d'un substrat en céramique (101) comprend les composants suivants en parties en poids : 56 à 67,5 parties de dioxyde de silicium, 12 à 18 parties d'oxyde d'aluminium et 2,8 à 5,5 parties d'oxyde de lithium. La nouvelle couche de modification (102) disposée sur la surface d'un substrat en céramique (101) selon l'invention est caractérisée par des mélange et dosage raisonnables de composants, à savoir que l'oxyde de lithium, l'oxyde d'aluminium et le dioxyde de silicium sont mélangés de façon raisonnable, de sorte que la couche de modification obtenue (102) disposée sur la surface du substrat en céramique (101) a un degré élevé de correspondance thermique avec le substrat en céramique (101), la résistance au choc thermique est bonne et des microfissures ne sont pas susceptibles de se produire dans le procédé de cuisson et d'impacts répétés de cycles thermiques.
涉及一种陶瓷基体（101）表面的修饰层（102）及其制备方法、陶瓷发热体及电子雾化装置。其中，一种陶瓷基体（101）表面的修饰层（102）包括如下质量份的组分：56-67.5份二氧化硅、12-18份氧化铝和2.8-5.5份氧化锂。提出了一种新型的陶瓷基体（101）表面的修饰层（102），其组分搭配和配比合理，即氧化锂、氧化铝和二氧化硅合理搭配，制得的陶瓷基体（101）的表面修饰层（102）与陶瓷基体（101）的热匹配度高，抗热震性好，在烧制和热循环反复冲击过程中，也不易产生微裂纹。
MODIFICATION LAYER ON SURFACE OF CERAMIC SUBSTRATE AND PREPARATION METHOD THEREFOR, CERAMIC HEATING BODY AND ELECTRONIC ATOMIZATION DEVICE
COUCHE DE MODIFICATION DISPOSÉE SUR LA SURFACE D'UN SUBSTRAT EN CÉRAMIQUE ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION S'Y RAPPORTANT, CORPS CHAUFFANT EN CÉRAMIQUE ET DISPOSITIF D'ATOMISATION ÉLECTRONIQUE
陶瓷基体表面的修饰层及其制备方法、陶瓷发热体及电子雾化装置
LI PEI (Autor:in) / JIANG ZHENLONG (Autor:in) / LV HONGXIA (Autor:in) / XIAO CONGWEN (Autor:in) / XIAO LINGRONG (Autor:in) / LI XIAOPING (Autor:in)
27.05.2021
Patent
Elektronische Ressource
Chinesisch
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