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METHOD FOR PREPARING SILICON NITRIDE POWDER FOR MANUFACTURING SUBSTRATE AND SILICON NITRIDE POWDER PREPARED THEREBY
Provided is a method for preparing silicon nitride powder for manufacturing a substrate. The method for preparing silicon nitride powder for manufacturing a substrate, according to an embodiment of the present invention, comprises the steps of: preparing mixed raw material powder comprising metallic silicon powder and crystalline phase control powder; preparing the mixed raw material powder into granules having a predetermined particle size; nitrifying the granules at a predetermined temperature ranging from 1,200-1,500 °C while nitrogen gas is applied to the granules at a predetermined pressure; and pulverizing the nitrified granules. According to the method, it is easy to realize powder having an α crystal phase at a desired level, and when this is realized as a substrate, a substrate having compact density can be manufactured.
L'invention concerne un procédé de préparation de poudre de nitrure de silicium pour la fabrication d'un substrat. Le procédé de préparation de poudre de nitrure de silicium pour la fabrication d'un substrat, selon un mode de réalisation de la présente invention, comprend les étapes suivantes : la préparation d'une poudre de matière première mélangée comprenant une poudre de silicium métallique et une poudre de contrôle de phase cristalline ; la préparation de la poudre de matière première mélangée en granules ayant une granulométrie prédéterminée ; la nitrification des granules à une température prédéterminée allant de 1200 à 1500 °C tandis que de l'azote gazeux est appliqué aux granules à une pression prédéterminée ; et la pulvérisation des granules nitrifiés. Selon le procédé, il est facile de réaliser une poudre présentant une phase cristalline α à un niveau souhaité, et lorsque celle-ci est réalisée comme substrat, un substrat présentant une densité compacte peut être fabriqué.
기판 제조용 질화규소 분말 제조방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 제조용 질화규소 분말 제조방법은 금속 실리콘 분말 및 결정상 제어 분말을 포함하는 혼합원료분말을 제조하는 단계, 상기 혼합원료분말을 소정의 입경을 가지는 그래뉼로 제조하는 단계; 상기 그래뉼에 소정의 압력으로 질소가스를 가하면서 1200 ~ 1500℃범위 내 소정의 온도로 질화시키는 단계, 및 질화된 그래뉼을 분쇄시키는 단계를 포함한다. 이에 의하면, 목적하는 수준으로 α결정상을 가지도록 분말을 구현하기 용이하고, 이를 통해서 기판으로 구현 시 치밀한 밀도를 갖는 기판을 제조할 수 있다.
METHOD FOR PREPARING SILICON NITRIDE POWDER FOR MANUFACTURING SUBSTRATE AND SILICON NITRIDE POWDER PREPARED THEREBY
Provided is a method for preparing silicon nitride powder for manufacturing a substrate. The method for preparing silicon nitride powder for manufacturing a substrate, according to an embodiment of the present invention, comprises the steps of: preparing mixed raw material powder comprising metallic silicon powder and crystalline phase control powder; preparing the mixed raw material powder into granules having a predetermined particle size; nitrifying the granules at a predetermined temperature ranging from 1,200-1,500 °C while nitrogen gas is applied to the granules at a predetermined pressure; and pulverizing the nitrified granules. According to the method, it is easy to realize powder having an α crystal phase at a desired level, and when this is realized as a substrate, a substrate having compact density can be manufactured.
L'invention concerne un procédé de préparation de poudre de nitrure de silicium pour la fabrication d'un substrat. Le procédé de préparation de poudre de nitrure de silicium pour la fabrication d'un substrat, selon un mode de réalisation de la présente invention, comprend les étapes suivantes : la préparation d'une poudre de matière première mélangée comprenant une poudre de silicium métallique et une poudre de contrôle de phase cristalline ; la préparation de la poudre de matière première mélangée en granules ayant une granulométrie prédéterminée ; la nitrification des granules à une température prédéterminée allant de 1200 à 1500 °C tandis que de l'azote gazeux est appliqué aux granules à une pression prédéterminée ; et la pulvérisation des granules nitrifiés. Selon le procédé, il est facile de réaliser une poudre présentant une phase cristalline α à un niveau souhaité, et lorsque celle-ci est réalisée comme substrat, un substrat présentant une densité compacte peut être fabriqué.
기판 제조용 질화규소 분말 제조방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 제조용 질화규소 분말 제조방법은 금속 실리콘 분말 및 결정상 제어 분말을 포함하는 혼합원료분말을 제조하는 단계, 상기 혼합원료분말을 소정의 입경을 가지는 그래뉼로 제조하는 단계; 상기 그래뉼에 소정의 압력으로 질소가스를 가하면서 1200 ~ 1500℃범위 내 소정의 온도로 질화시키는 단계, 및 질화된 그래뉼을 분쇄시키는 단계를 포함한다. 이에 의하면, 목적하는 수준으로 α결정상을 가지도록 분말을 구현하기 용이하고, 이를 통해서 기판으로 구현 시 치밀한 밀도를 갖는 기판을 제조할 수 있다.
METHOD FOR PREPARING SILICON NITRIDE POWDER FOR MANUFACTURING SUBSTRATE AND SILICON NITRIDE POWDER PREPARED THEREBY
PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE POUDRE DE NITRURE DE SILICIUM POUR LA FABRICATION D'UN SUBSTRAT ET POUDRE DE NITRURE DE SILICIUM AINSI PRÉPARÉE
기판 제조용 질화규소 분말 제조방법 및 이를 통해 제조된 질화규소 분말
PARK KYU HWAN (Autor:in) / CHEONG HUN (Autor:in)
22.09.2022
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
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