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CERAMIC SINTERED BODY AND SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
The ceramic sintered body according to the present invention has a bonding layer including alumina, and a glass component containing silica and manganese, and having a concentration peak of Mn on a surface side, wherein a proportion of the peak value of Mn relative to the peak value of Si in a depth direction of the bonding layer is 1.0-7.0.
Le corps fritté en céramique selon la présente invention comporte une couche de liaison comprenant de l'alumine, et un composant de verre contenant de la silice et du manganèse, et ayant un pic de concentration de Mn sur un côté de surface, une proportion de la valeur de pic de Mn par rapport à la valeur de pic de Si dans une direction de profondeur de la couche de liaison étant de 1,0 à 7,0.
本発明に係るセラミック焼結体は、アルミナと、シリカ及びマンガンを含有するガラス成分と、を含み、表面側にＭｎの濃度のピークを持つ結合層を有し、前記結合層の深さ方向における、Ｓｉのピーク値に対するＭｎのピーク値の割合が、１．０～７．０である。
CERAMIC SINTERED BODY AND SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
The ceramic sintered body according to the present invention has a bonding layer including alumina, and a glass component containing silica and manganese, and having a concentration peak of Mn on a surface side, wherein a proportion of the peak value of Mn relative to the peak value of Si in a depth direction of the bonding layer is 1.0-7.0.
Le corps fritté en céramique selon la présente invention comporte une couche de liaison comprenant de l'alumine, et un composant de verre contenant de la silice et du manganèse, et ayant un pic de concentration de Mn sur un côté de surface, une proportion de la valeur de pic de Mn par rapport à la valeur de pic de Si dans une direction de profondeur de la couche de liaison étant de 1,0 à 7,0.
本発明に係るセラミック焼結体は、アルミナと、シリカ及びマンガンを含有するガラス成分と、を含み、表面側にＭｎの濃度のピークを持つ結合層を有し、前記結合層の深さ方向における、Ｓｉのピーク値に対するＭｎのピーク値の割合が、１．０～７．０である。
CERAMIC SINTERED BODY AND SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
CORPS FRITTÉ EN CÉRAMIQUE ET SUBSTRAT POUR DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR
セラミック焼結体及び半導体装置用基板
OGATA TAKATOMO (Autor:in)
06.10.2022
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
CERAMIC SINTERED BODY AND SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
| Europäisches Patentamt | 2022
CERAMIC SINTERED BODY AND SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
| Europäisches Patentamt | 2022
Ceramic sintered body and substrate for semiconductor device
| Europäisches Patentamt | 2024
Ceramic sintered body and substrate for semiconductor device
| Europäisches Patentamt | 2023
CERAMIC SINTERED BODY AND SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
| Europäisches Patentamt | 2021