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PROCEDE DE FABRICATION DE MATERIAU DE SIC FRITTE TRES PUR ET DENSE
The invention relates to a polycrystalline silicon carbide sintered material consisting of silicon carbide grains having a median equivalent diameter of between 1 and 10 micrometers, said material having a total porosity of less than 2% by volume of said material, and a silicon carbide mass content of at least 99%, except for the free carbon, wherein in said material the mass ratio of the content of SiC having a beta-type crystallographic form to the content of SiC having an alpha-type crystallographic form is less than 2. Also disclosed is a method for producing a material of this kind.
ABREGE Matériau fritté polycristallin de carbure de silicium constitué de grains de carbure de silicium ayant un diamètre équivalent médian compris entre 1 et 10 micromètres, ledit matériau ayant une porosité totale inférieure à 2% en pourcentage volumique dudit matériau et une teneur massique en carbure de Silicium d'au moins de 99%, hormis le carbone libre, le rapport massique de la teneur en SiC sous forme cristallographique beta sur la teneur en SiC sous forme cristallographique alpha dudit matériau étant inférieur à 2. Procédé de fabrication d'un tel matériau.
PROCEDE DE FABRICATION DE MATERIAU DE SIC FRITTE TRES PUR ET DENSE
The invention relates to a polycrystalline silicon carbide sintered material consisting of silicon carbide grains having a median equivalent diameter of between 1 and 10 micrometers, said material having a total porosity of less than 2% by volume of said material, and a silicon carbide mass content of at least 99%, except for the free carbon, wherein in said material the mass ratio of the content of SiC having a beta-type crystallographic form to the content of SiC having an alpha-type crystallographic form is less than 2. Also disclosed is a method for producing a material of this kind.
ABREGE Matériau fritté polycristallin de carbure de silicium constitué de grains de carbure de silicium ayant un diamètre équivalent médian compris entre 1 et 10 micromètres, ledit matériau ayant une porosité totale inférieure à 2% en pourcentage volumique dudit matériau et une teneur massique en carbure de Silicium d'au moins de 99%, hormis le carbone libre, le rapport massique de la teneur en SiC sous forme cristallographique beta sur la teneur en SiC sous forme cristallographique alpha dudit matériau étant inférieur à 2. Procédé de fabrication d'un tel matériau.
PROCEDE DE FABRICATION DE MATERIAU DE SIC FRITTE TRES PUR ET DENSE
METHOD FOR PRODUCING HIGH-PURITY, DENSE SINTERED SIC MATERIAL
MASSASSO GIOVANNI (Autor:in) / BOUSQUET COSTANA (Autor:in)
03.11.2022
Patent
Elektronische Ressource
Französisch
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
PROCEDE DE FABRICATION DE MATERIAU DE SIC FRITTE TRES PUR ET DENSE
| Europäisches Patentamt | 2023
PROCEDE DE FABRICATION DE MATERIAU DE SIC FRITTE TRES PUR ET DENSE
| Europäisches Patentamt | 2024
MATERIAU FRITTE DENSE DE CARBURE DE SILICIUM A TRES FAIBLE RESISTIVITE ELECTRIQUE
| Europäisches Patentamt | 2023
MATERIAU FRITTE DENSE DE CARBURE DE SILICIUM A TRES FAIBLE RESISTIVITE ELECTRIQUE
| Europäisches Patentamt | 2022
MATERIAU FRITTE DENSE DE CARBURE DE SILICIUM A TRES FAIBLE RESISTIVITE ELECTRIQUE
| Europäisches Patentamt | 2024