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KUPFER-KERAMIK-SUBSTRAT MIT SINTERBARER OBERSEITE
Die Erfindung betrifft unter anderem ein Kupfer-Keramik-Substrat. Dieses umfasst: a) einen Keramikkörper und b) eine Kupferschicht, die mit dem Keramikkörper flächig verbunden ist, wobei die Kupferschicht eine Oberseite aufweist, wobei ein Energiespektrum, das bei einer Analyse der Oberseite der Kupferschicht durch Röntgenphotoelektronenspektroskopie erhalten wird, (i) wenigstens ein Signal S1 aufweist, das wenigstens einen Peak P1 mit einem Maximum im Bereich von 526 eV – 538 eV umfasst, wobei der wenigstens eine Peak P1 eine Fläche PF1 aufweist, wobei die Flächen PF1 aller Peaks P1 des wenigstens einen Signals S1 eine Gesamtfläche GF1 ergeben, und (ii) wenigstens ein Signal S2 aufweist, das wenigstens einen Peak P2 mit einem Maximum im Bereich von 0 eV – 1400 eV umfasst, wobei der wenigstens eine Peak P2 eine Fläche PF2 aufweist, wobei die Flächen PF2 aller Peaks P2 des wenigstens einen Signals S2 eine Gesamtfläche GF2 ergeben, wobei das Verhältnis GF1 / GF2 wenigstens 0,25 beträgt.
The invention relates to, among others, a copper-ceramic substrate. The copper-ceramic substrate comprises: a) a ceramic body and b) a copper layer which is connected to the ceramic body in a planar manner. The copper layer has an upper face, and an energy spectrum, which is obtained by means of x-ray photoelectron spectroscopy during an analysis of the upper face of the copper layer, exhibits (i) at least one signal S1 which comprises at least one peak P1 with a maximum ranging from 526 eV – 538 eV, wherein the at least one peak P1 has an area PF1, and the areas PF1 of all of the peaks P1 of the at least one signal S1 result in a total area GF1, and (ii) at least one signal S2 which comprises at least one peak P2 with a maximum ranging from 0 eV – 1400 eV, wherein the at least one peak P2 has an area PF2, and the areas PF2 of all of the peaks P2 of the at least one signal S2 result in a total area GF2, the ratio of GF1 / GF2 equaling at least 0.25.
L'invention concerne entre autres un substrat en cuivre-céramique. Le substrat en cuivre-céramique comprend : a) un corps en céramique et b) une couche de cuivre qui est connectée au corps en céramique de manière plane. La couche de cuivre a une face supérieure, et un spectre d'énergie, qui est obtenu au moyen d'une spectroscopie photoélectronique à rayons X pendant une analyse de la face supérieure de la couche de cuivre, présente (i) au moins un signal S1 qui comprend au moins un pic P1 avec un maximum allant de 526 eV à 538 eV, l'au moins un pic P1 ayant une zone PF1, et les zones PF1 de tous les pics P1 de l'au moins un signal S1 donnent une surface totale GF1, et (ii) au moins un signal S2 qui comprend au moins un pic P2 avec un maximum allant de 0 eV à 1 400 eV, l'au moins un pic P2 ayant une zone PF2, et les zones PF2 de tous les pics P2 de l'au moins un signal S2 donnent une surface totale GF2, le rapport de GF1/GF2 étant d'au moins 0,25.
KUPFER-KERAMIK-SUBSTRAT MIT SINTERBARER OBERSEITE
Die Erfindung betrifft unter anderem ein Kupfer-Keramik-Substrat. Dieses umfasst: a) einen Keramikkörper und b) eine Kupferschicht, die mit dem Keramikkörper flächig verbunden ist, wobei die Kupferschicht eine Oberseite aufweist, wobei ein Energiespektrum, das bei einer Analyse der Oberseite der Kupferschicht durch Röntgenphotoelektronenspektroskopie erhalten wird, (i) wenigstens ein Signal S1 aufweist, das wenigstens einen Peak P1 mit einem Maximum im Bereich von 526 eV – 538 eV umfasst, wobei der wenigstens eine Peak P1 eine Fläche PF1 aufweist, wobei die Flächen PF1 aller Peaks P1 des wenigstens einen Signals S1 eine Gesamtfläche GF1 ergeben, und (ii) wenigstens ein Signal S2 aufweist, das wenigstens einen Peak P2 mit einem Maximum im Bereich von 0 eV – 1400 eV umfasst, wobei der wenigstens eine Peak P2 eine Fläche PF2 aufweist, wobei die Flächen PF2 aller Peaks P2 des wenigstens einen Signals S2 eine Gesamtfläche GF2 ergeben, wobei das Verhältnis GF1 / GF2 wenigstens 0,25 beträgt.
The invention relates to, among others, a copper-ceramic substrate. The copper-ceramic substrate comprises: a) a ceramic body and b) a copper layer which is connected to the ceramic body in a planar manner. The copper layer has an upper face, and an energy spectrum, which is obtained by means of x-ray photoelectron spectroscopy during an analysis of the upper face of the copper layer, exhibits (i) at least one signal S1 which comprises at least one peak P1 with a maximum ranging from 526 eV – 538 eV, wherein the at least one peak P1 has an area PF1, and the areas PF1 of all of the peaks P1 of the at least one signal S1 result in a total area GF1, and (ii) at least one signal S2 which comprises at least one peak P2 with a maximum ranging from 0 eV – 1400 eV, wherein the at least one peak P2 has an area PF2, and the areas PF2 of all of the peaks P2 of the at least one signal S2 result in a total area GF2, the ratio of GF1 / GF2 equaling at least 0.25.
L'invention concerne entre autres un substrat en cuivre-céramique. Le substrat en cuivre-céramique comprend : a) un corps en céramique et b) une couche de cuivre qui est connectée au corps en céramique de manière plane. La couche de cuivre a une face supérieure, et un spectre d'énergie, qui est obtenu au moyen d'une spectroscopie photoélectronique à rayons X pendant une analyse de la face supérieure de la couche de cuivre, présente (i) au moins un signal S1 qui comprend au moins un pic P1 avec un maximum allant de 526 eV à 538 eV, l'au moins un pic P1 ayant une zone PF1, et les zones PF1 de tous les pics P1 de l'au moins un signal S1 donnent une surface totale GF1, et (ii) au moins un signal S2 qui comprend au moins un pic P2 avec un maximum allant de 0 eV à 1 400 eV, l'au moins un pic P2 ayant une zone PF2, et les zones PF2 de tous les pics P2 de l'au moins un signal S2 donnent une surface totale GF2, le rapport de GF1/GF2 étant d'au moins 0,25.
KUPFER-KERAMIK-SUBSTRAT MIT SINTERBARER OBERSEITE
COPPER-CERAMIC SUBSTRATE WITH AN UPPER FACE WHICH CAN BE SINTERED
SUBSTRAT EN CUIVRE-CÉRAMIQUE PRÉSENTANT UNE FACE SUPÉRIEURE POUVANT ÊTRE FRITTÉE
STEGMANN TAMIRA (Autor:in) / THOMAS SVEN (Autor:in)
29.08.2024
Patent
Elektronische Ressource
Deutsch
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
/
B23K
Löten
,
SOLDERING OR UNSOLDERING
/
C23C
Beschichten metallischer Werkstoffe
,
COATING METALLIC MATERIAL
/
C23F
Nichtmechanisches Entfernen metallischer Stoffe von Oberflächen
,
NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACES
/
H01L
Halbleiterbauelemente
,
SEMICONDUCTOR DEVICES
/
H05K
PRINTED CIRCUITS
,
Gedruckte Schaltungen