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LOW-TEMPERATURE SINTERED HIGH-DIELECTRIC GYROMAGNETIC FERRITE MATERIAL AND PREPARATION METHOD THEREFOR
The present invention relates to the technical field of electronic materials, in particular to a low-temperature sintered high-dielectric gyromagnetic ferrite material and a preparation method therefor. The molecular formula of said material is Bi1.45Ti0.1Y1.55-2x-yCa2x+yVxZry-0.1Fe5-y-xO12, wherein x is 0.6-0.65, y is 0.25-0.35, and 1.55-2x-y≥0. The provided preparation method not only can realize low-temperature sintering at 900℃, but also can realize good co-firing compatibility with silver electrodes of LTCC processes.
La présente invention concerne le domaine technique des matériaux électroniques, en particulier un matériau de ferrite gyromagnétique hautement diélectrique fritté à basse température et son procédé de préparation. La formule moléculaire dudit matériau est Bi1.45Ti0.1Y1.55-2x-yCa2x+yVxZry-0.1Fe5-y-xO12, où x est 0,6-0,65, y est 0,25-0,35, et 1,55-2 x-y ≥ 0. Le procédé de préparation selon l'invention non seulement permet de réaliser un frittage à basse température à 900°C, mais encore permet de réaliser une bonne compatibilité de co-cuisson avec des électrodes en argent de procédés LTCC.
涉及电子材料技术领域，特别涉及一种低温烧结高介旋磁铁氧体材料及其制备方法。该低温烧结高介旋磁铁氧体材料，分子式为Bi 1.45Ti 0.1Y 1.55-2x-yCa 2x+yV xZr y-0.1Fe 5-y-xO 12，其中x为0.6-0.65，y为0.25-0.35，1.55-2x-y≥0。提供的制备方法不仅能实现900℃低温烧结，而且可与LTCC工艺的银电极实现很好的共烧兼容。
LOW-TEMPERATURE SINTERED HIGH-DIELECTRIC GYROMAGNETIC FERRITE MATERIAL AND PREPARATION METHOD THEREFOR
The present invention relates to the technical field of electronic materials, in particular to a low-temperature sintered high-dielectric gyromagnetic ferrite material and a preparation method therefor. The molecular formula of said material is Bi1.45Ti0.1Y1.55-2x-yCa2x+yVxZry-0.1Fe5-y-xO12, wherein x is 0.6-0.65, y is 0.25-0.35, and 1.55-2x-y≥0. The provided preparation method not only can realize low-temperature sintering at 900℃, but also can realize good co-firing compatibility with silver electrodes of LTCC processes.
La présente invention concerne le domaine technique des matériaux électroniques, en particulier un matériau de ferrite gyromagnétique hautement diélectrique fritté à basse température et son procédé de préparation. La formule moléculaire dudit matériau est Bi1.45Ti0.1Y1.55-2x-yCa2x+yVxZry-0.1Fe5-y-xO12, où x est 0,6-0,65, y est 0,25-0,35, et 1,55-2 x-y ≥ 0. Le procédé de préparation selon l'invention non seulement permet de réaliser un frittage à basse température à 900°C, mais encore permet de réaliser une bonne compatibilité de co-cuisson avec des électrodes en argent de procédés LTCC.
涉及电子材料技术领域，特别涉及一种低温烧结高介旋磁铁氧体材料及其制备方法。该低温烧结高介旋磁铁氧体材料，分子式为Bi 1.45Ti 0.1Y 1.55-2x-yCa 2x+yV xZr y-0.1Fe 5-y-xO 12，其中x为0.6-0.65，y为0.25-0.35，1.55-2x-y≥0。提供的制备方法不仅能实现900℃低温烧结，而且可与LTCC工艺的银电极实现很好的共烧兼容。
LOW-TEMPERATURE SINTERED HIGH-DIELECTRIC GYROMAGNETIC FERRITE MATERIAL AND PREPARATION METHOD THEREFOR
MATÉRIAU DE FERRITE GYROMAGNÉTIQUE HAUTEMENT DIÉLECTRIQUE FRITTÉ À BASSE TEMPÉRATURE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
一种低温烧结高介旋磁铁氧体材料及其制备方法
XU YUANYONG (Autor:in) / NI JING (Autor:in) / ZHANG WEI (Autor:in) / PENG HUA (Autor:in)
14.11.2024
Patent
Elektronische Ressource
Chinesisch
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