Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
Systems, methods and apparatus are provided for nitride lattice support structures and double side capacitors in vertical three-dimensional (3D) memory. An example method includes a method for forming a nitride lattice support structures for an array of vertically stacked memory cells having access devices and storage nodes. The method includes depositing alternating layers of a channel material and a first sacrificial material in repeating iterations to form a vertical stack on a substrate. The vertical stack can be patterned to form a plurality of elongated vertical columns separated by a plurality of first vertical opening. A second sacrificial material can be deposited to fill the first vertical openings and cover the vertical stack. A plurality of vertical openings and lateral recesses can be formed. A nitride material can be deposited in the vertical openings and lateral recesses to form a plurality of nitride lattice support structures.
L'invention propose des systèmes, des procédés et un appareil pour des structures de support de réseau de nitrure et des condensateurs latéraux doubles dans une mémoire tridimensionnelle (3D) verticale. Un procédé donné à titre d'exemple consiste en un procédé de formation d'une structure de support de réseau de nitrure pour un réseau de cellules de mémoire empilées verticalement possédant des dispositifs d'accès et des nœuds de stockage. Le procédé consiste à déposer des couches alternées d'un matériau de canal et d'un premier matériau sacrificiel dans la répétition d'itérations pour former une pile sur un substrat. La pile verticale peut être modelée pour former une pluralité de colonnes verticales allongée séparée par une pluralité de premières ouvertures verticales. Un second matériau sacrificiel peut être déposé pour remplir les premières ouvertures verticales et recouvrir la pile verticale. Une pluralité d'ouvertures verticales et d'évidements latéraux peut être formée. Un matériau de nitrure peut être déposé dans les ouvertures verticales et les évidements latéraux pour former une pluralité de structures de support de réseau de nitrure.
Systems, methods and apparatus are provided for nitride lattice support structures and double side capacitors in vertical three-dimensional (3D) memory. An example method includes a method for forming a nitride lattice support structures for an array of vertically stacked memory cells having access devices and storage nodes. The method includes depositing alternating layers of a channel material and a first sacrificial material in repeating iterations to form a vertical stack on a substrate. The vertical stack can be patterned to form a plurality of elongated vertical columns separated by a plurality of first vertical opening. A second sacrificial material can be deposited to fill the first vertical openings and cover the vertical stack. A plurality of vertical openings and lateral recesses can be formed. A nitride material can be deposited in the vertical openings and lateral recesses to form a plurality of nitride lattice support structures.
L'invention propose des systèmes, des procédés et un appareil pour des structures de support de réseau de nitrure et des condensateurs latéraux doubles dans une mémoire tridimensionnelle (3D) verticale. Un procédé donné à titre d'exemple consiste en un procédé de formation d'une structure de support de réseau de nitrure pour un réseau de cellules de mémoire empilées verticalement possédant des dispositifs d'accès et des nœuds de stockage. Le procédé consiste à déposer des couches alternées d'un matériau de canal et d'un premier matériau sacrificiel dans la répétition d'itérations pour former une pile sur un substrat. La pile verticale peut être modelée pour former une pluralité de colonnes verticales allongée séparée par une pluralité de premières ouvertures verticales. Un second matériau sacrificiel peut être déposé pour remplir les premières ouvertures verticales et recouvrir la pile verticale. Une pluralité d'ouvertures verticales et d'évidements latéraux peut être formée. Un matériau de nitrure peut être déposé dans les ouvertures verticales et les évidements latéraux pour former une pluralité de structures de support de réseau de nitrure.
NITRIDE LATTICE SUPPORT IN MEMORY
SUPPORT DE RÉSEAU DE NITRURE DANS UNE MÉMOIRE
HU YONGJUN J (Autor:in)
20.03.2025
Patent
Elektronische Ressource
Englisch
IPC:
H10B
Lattice dynamics of boron nitride
| British Library Online Contents | 1999
| Wiley | 2023