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THERMOELEKTRISCHES UMWANDLUNGSMATERIAL UND THERMOELEKTRISCHES UMWANDLUNGSMODUL
Ein thermoelektrisches Umwandlungsmaterial umfasst eine Matrixphase, die aus einem Halbleiter konfiguriert ist. An der Korngrenze der Matrixphase sind eine erste Korngrenzenphase und eine zweite Korngrenzenphase vorgesehen. Die erste Korngrenzenphase ist aus einem Material konfiguriert, das mit der Matrixphase keine Verbindung durch eine eutektische Reaktion, eine eutektoide Reaktion, eine peritektische Reaktion, eine peritektoide Reaktion, eine monotektische Reaktion oder eine monotektoide Reaktion bildet. Die zweite Korngrenzenphase ist aus einem Material konfiguriert, dessen Widerstand niedriger als der der Matrixphase oder der ersten Korngrenzenphase ist. Ein Verhältnis eines Volumens der zweiten Korngrenzenphase zu einem Volumen der ersten Korngrenzenphase ist kleiner als 1.
A thermoelectric conversion material includes a matrix phase configured from a semiconductor. A first grain-boundary phase and a second grain-boundary phase are provided at a grain boundary of the matrix phase. The first grain-boundary phase is configured from a material which does not form a compound with the matrix phase by a eutectic reaction, a eutectoid reaction, a peritectic reaction, a peritectoid reaction, an eccentric reaction, or a segregation reaction. The second grain-boundary phase is configured from a material having resistance which is lower than that of the matrix phase or the first grain-boundary phase. A ratio of a volume of the second grain-boundary phase to a volume of the first grain-boundary phase is smaller than 1.
THERMOELEKTRISCHES UMWANDLUNGSMATERIAL UND THERMOELEKTRISCHES UMWANDLUNGSMODUL
Ein thermoelektrisches Umwandlungsmaterial umfasst eine Matrixphase, die aus einem Halbleiter konfiguriert ist. An der Korngrenze der Matrixphase sind eine erste Korngrenzenphase und eine zweite Korngrenzenphase vorgesehen. Die erste Korngrenzenphase ist aus einem Material konfiguriert, das mit der Matrixphase keine Verbindung durch eine eutektische Reaktion, eine eutektoide Reaktion, eine peritektische Reaktion, eine peritektoide Reaktion, eine monotektische Reaktion oder eine monotektoide Reaktion bildet. Die zweite Korngrenzenphase ist aus einem Material konfiguriert, dessen Widerstand niedriger als der der Matrixphase oder der ersten Korngrenzenphase ist. Ein Verhältnis eines Volumens der zweiten Korngrenzenphase zu einem Volumen der ersten Korngrenzenphase ist kleiner als 1.
A thermoelectric conversion material includes a matrix phase configured from a semiconductor. A first grain-boundary phase and a second grain-boundary phase are provided at a grain boundary of the matrix phase. The first grain-boundary phase is configured from a material which does not form a compound with the matrix phase by a eutectic reaction, a eutectoid reaction, a peritectic reaction, a peritectoid reaction, an eccentric reaction, or a segregation reaction. The second grain-boundary phase is configured from a material having resistance which is lower than that of the matrix phase or the first grain-boundary phase. A ratio of a volume of the second grain-boundary phase to a volume of the first grain-boundary phase is smaller than 1.
THERMOELEKTRISCHES UMWANDLUNGSMATERIAL UND THERMOELEKTRISCHES UMWANDLUNGSMODUL
KUROSAKI YOSUKE (author) / YABUUCHI SHIN (author) / HAYAKAWA JYUN (author)
2018-11-15
Patent
Electronic Resource
German
| European Patent Office | 2017
| European Patent Office | 2016
| European Patent Office | 2016
Nanokomposit-thermoelektrisches Material und Verfahren zur Herstellung desselben
| European Patent Office | 2021