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Verfahren zum Herstellen von hochreinem Siliziumkarbid-Pulver
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von hochreinem Siliziumcarbid-Pulver, mit dem eine kostengünstige Herstellung von hochreinem Siliziumkarbid- Pulver ermöglicht wird. Erreicht wird das durch Einfüllen von auf Stärke basierenden Verpackungschips oder expandierter Stärke als organisches Rohmaterial in einen oben offenen Behälter; Einbringen des mit dem Rohmaterial gefüllten Behälters in einen Ofen und schrittweises Aufheizen der Verpackungschips, oder der expandierten Stärke auf eine Temperatur von 2.000 °C unter Zuführung von Schutzgas oder im Vakuum zum Graphitieren der Verpackungschips oder der expandierten Stärke in poröse Graphitstücke; Zuführen von Halogengas, wie Chlor oder Fluor, in den Ofen zur Reinigung der porösen Graphitstücke bei einer Temperatur von > 1.800°C zur Entfernung von Fremdmetallen aus den porösen Graphitstücken durch Bildung von Metallchlorid, und Umwandeln der porösen Graphitstücke in pulveriges Siliziumcarbid durch Zuführen SiO mit Argon als Trägergas bei einer Temperatur von >1.200°C bei einem Druck von 30 mbar oder höher.
A method for producing high-purity silicon carbide powder includes filling starch-based packing chips or expanded starch as organic raw material into a container open at the top; introducing the container filled with the raw material into a furnace and heating the packing chips, or the expanded starch, gradually to a temperature of 2,000° C. whilst feeding inert gas or under vacuum to graphitize the packing chips or the expanded starch into porous graphite pieces; feeding halogen gas, such as chlorine or fluorine, into the furnace to purify the porous graphite pieces at a temperature of >1,800° C. to remove foreign metals from the porous graphite pieces by forming metal chloride, and converting the porous graphite pieces into powdered silicon carbide by feeding SiO with argon as carrier gas at a temperature of >1,200° C. at a pressure of 30 mbar or higher.
Verfahren zum Herstellen von hochreinem Siliziumkarbid-Pulver
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von hochreinem Siliziumcarbid-Pulver, mit dem eine kostengünstige Herstellung von hochreinem Siliziumkarbid- Pulver ermöglicht wird. Erreicht wird das durch Einfüllen von auf Stärke basierenden Verpackungschips oder expandierter Stärke als organisches Rohmaterial in einen oben offenen Behälter; Einbringen des mit dem Rohmaterial gefüllten Behälters in einen Ofen und schrittweises Aufheizen der Verpackungschips, oder der expandierten Stärke auf eine Temperatur von 2.000 °C unter Zuführung von Schutzgas oder im Vakuum zum Graphitieren der Verpackungschips oder der expandierten Stärke in poröse Graphitstücke; Zuführen von Halogengas, wie Chlor oder Fluor, in den Ofen zur Reinigung der porösen Graphitstücke bei einer Temperatur von > 1.800°C zur Entfernung von Fremdmetallen aus den porösen Graphitstücken durch Bildung von Metallchlorid, und Umwandeln der porösen Graphitstücke in pulveriges Siliziumcarbid durch Zuführen SiO mit Argon als Trägergas bei einer Temperatur von >1.200°C bei einem Druck von 30 mbar oder höher.
A method for producing high-purity silicon carbide powder includes filling starch-based packing chips or expanded starch as organic raw material into a container open at the top; introducing the container filled with the raw material into a furnace and heating the packing chips, or the expanded starch, gradually to a temperature of 2,000° C. whilst feeding inert gas or under vacuum to graphitize the packing chips or the expanded starch into porous graphite pieces; feeding halogen gas, such as chlorine or fluorine, into the furnace to purify the porous graphite pieces at a temperature of >1,800° C. to remove foreign metals from the porous graphite pieces by forming metal chloride, and converting the porous graphite pieces into powdered silicon carbide by feeding SiO with argon as carrier gas at a temperature of >1,200° C. at a pressure of 30 mbar or higher.
Verfahren zum Herstellen von hochreinem Siliziumkarbid-Pulver
KORNMEYER TORSTEN (author) / KLEIN DAVID (author)
2023-02-23
Patent
Electronic Resource
German
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