A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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Keramische Leiterplatte und Verfahren zur Herstellung der selben
Problem: Erhalten einer keramischen Leiterplatte, die eine bessere Rissbeständigkeit gegenüber Ultraschallbonden aufweist. Lösung: Das oben genannte Problem wird durch eine keramische Leiterplatte gelöst, die dadurch gekennzeichnet ist, dass eine Metallleiterplatte auf eine Oberfläche eines keramischen Substrats gebondet ist und eine Metallwärmeabstrahlungsplatte auf die andere Oberfläche des keramischen Substrats gebondet ist, wobei die Kristallkorngröße in der Metallleiterplatte mindestens 20 μm und höchstens 70 μm beträgt. Diese keramische Leiterplatte kann hergestellt werden durch Anordnen der Metallleiterplatte auf einer Oberfläche des Keramiksubstrats und Anordnen der Metallwärmeabstrahlungsplatte auf der anderen Oberfläche des Keramiksubstrats und Bonden in einem Vakuum von höchstens 1 × 10–3 Pa bei einer Bondingtemperatur von mindestens 780°C und höchstens 850°C für eine Verweilzeit von mindestens 10 Minuten und höchstens 60 Minuten.
[Solution] The abovementioned problem is solved by a ceramic circuit board characterized in that a metal circuit board is bonded to one surface of a ceramic substrate and a metal heat radiation plate is bonded to the other surface of the ceramic substrate, wherein the crystal grain size in the metal circuit board is at least 20 μm and at most 70 μm. This ceramic circuit board can be manufactured by arranging the metal circuit board on one surface of the ceramic substrate and arranging the metal heat radiation plate on the other surface of the ceramic substrate, and bonding in a vacuum of at most 1×10−3 Pa, at a bonding temperature of at least 780° C. and at most 850° C., for a retention time of at least 10 minutes and at most 60 minutes.
Keramische Leiterplatte und Verfahren zur Herstellung der selben
Problem: Erhalten einer keramischen Leiterplatte, die eine bessere Rissbeständigkeit gegenüber Ultraschallbonden aufweist. Lösung: Das oben genannte Problem wird durch eine keramische Leiterplatte gelöst, die dadurch gekennzeichnet ist, dass eine Metallleiterplatte auf eine Oberfläche eines keramischen Substrats gebondet ist und eine Metallwärmeabstrahlungsplatte auf die andere Oberfläche des keramischen Substrats gebondet ist, wobei die Kristallkorngröße in der Metallleiterplatte mindestens 20 μm und höchstens 70 μm beträgt. Diese keramische Leiterplatte kann hergestellt werden durch Anordnen der Metallleiterplatte auf einer Oberfläche des Keramiksubstrats und Anordnen der Metallwärmeabstrahlungsplatte auf der anderen Oberfläche des Keramiksubstrats und Bonden in einem Vakuum von höchstens 1 × 10–3 Pa bei einer Bondingtemperatur von mindestens 780°C und höchstens 850°C für eine Verweilzeit von mindestens 10 Minuten und höchstens 60 Minuten.
[Solution] The abovementioned problem is solved by a ceramic circuit board characterized in that a metal circuit board is bonded to one surface of a ceramic substrate and a metal heat radiation plate is bonded to the other surface of the ceramic substrate, wherein the crystal grain size in the metal circuit board is at least 20 μm and at most 70 μm. This ceramic circuit board can be manufactured by arranging the metal circuit board on one surface of the ceramic substrate and arranging the metal heat radiation plate on the other surface of the ceramic substrate, and bonding in a vacuum of at most 1×10−3 Pa, at a bonding temperature of at least 780° C. and at most 850° C., for a retention time of at least 10 minutes and at most 60 minutes.
Keramische Leiterplatte und Verfahren zur Herstellung der selben
AONO RYOTA (author) / YUASA AKIMASA (author) / MIYAKAWA TAKESHI (author)
2017-05-11
Patent
Electronic Resource
German
Poröse keramische Formkörper , Verfahren zu ihrer Herstellung
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KERAMISCHE VERBUNDWERKSTOFFE UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG
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VERBUNDKERAMIK FÜR EINE LEITERPLATTE UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
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VERBUNDKERAMIK FÜR EINE LEITERPLATTE UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
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