A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINTERED COMPACT
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a silicon carbide sintered compact capable of improving plasma resistance while using a normal pressure sintering method.SOLUTION: There is provided a method for producing a silicon carbide sintered compact which comprises: a step of preparing a slurry by mixing a sintering aid and a solvent; a step of preparing a dried product by drying the slurry; a step of preparing an SiC powder by pulverizing the dried product; and a step of obtaining SiC granules by sieving the SiC powder using a sieve having a roughness of 100 μm or more and 300 μm or less; and a step of sintering the SiC granules at normal pressures.
【課題】 常圧焼結法を用いながらも、プラズマ耐性の向上を図ることを可能とする炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供する。【解決手段】 炭化ケイ素焼結体の製造方法は、前記炭化ケイ素、焼結助剤及び溶媒を混合することによってスラリーを作製する工程と、前記スラリーを乾燥することによって乾燥体を作製する工程と、前記乾燥体を粉砕することによってＳｉＣ粉体を作製する工程と、１００μｍ以上３００μｍ以下の粗さを有する篩を用いて前記ＳｉＣ粉体を篩い分けすることによってＳｉＣ顆粒を得る工程と、前記ＳｉＣ顆粒を常圧で焼結する工程とを備える。【選択図】 図１
METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINTERED COMPACT
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a silicon carbide sintered compact capable of improving plasma resistance while using a normal pressure sintering method.SOLUTION: There is provided a method for producing a silicon carbide sintered compact which comprises: a step of preparing a slurry by mixing a sintering aid and a solvent; a step of preparing a dried product by drying the slurry; a step of preparing an SiC powder by pulverizing the dried product; and a step of obtaining SiC granules by sieving the SiC powder using a sieve having a roughness of 100 μm or more and 300 μm or less; and a step of sintering the SiC granules at normal pressures.
【課題】 常圧焼結法を用いながらも、プラズマ耐性の向上を図ることを可能とする炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供する。【解決手段】 炭化ケイ素焼結体の製造方法は、前記炭化ケイ素、焼結助剤及び溶媒を混合することによってスラリーを作製する工程と、前記スラリーを乾燥することによって乾燥体を作製する工程と、前記乾燥体を粉砕することによってＳｉＣ粉体を作製する工程と、１００μｍ以上３００μｍ以下の粗さを有する篩を用いて前記ＳｉＣ粉体を篩い分けすることによってＳｉＣ顆粒を得る工程と、前記ＳｉＣ顆粒を常圧で焼結する工程とを備える。【選択図】 図１
METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINTERED COMPACT
炭化ケイ素焼結体の製造方法
ODAKA FUMIO (author)
2015-12-14
Patent
Electronic Resource
Japanese
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
| European Patent Office | 2024
| European Patent Office | 2015
SINTERED COMPACT OF SILICON CARBIDE AND PRODUCING METHOD THEREOF
| European Patent Office | 2015
REACTIVE SINTERED SILICON CARBIDE SINTERED COMPACT AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
| European Patent Office | 2022