A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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To obtain a material (1) having P-type or N-type semiconductor properties and having low electrical resistivity, large thermoelectric coefficient S, and large dimensionless performance index ZT, and a material (2) having non-linear index α of 40 or more as varistor characteristics, in polycrystalline ceramics mainly comprising silicon carbide.SOLUTION: A polycrystalline ceramics-sintered body can be obtained which has P-type or N-type semiconductor properties, by sintering a starting material comprising silicon carbide as a main component and at least one of Al, B, Y, and C as accessory ingredient(s), in accordance with a process shown in Figure 1. Moreover, doping with B, Al, Ga, In, Y, a La-group, V, Nb, Ta, N, P, As, Sb, Bi is effective in obtaining smaller resistivity and larger thermoelectric coefficients.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】炭化珪素を主成分とする多結晶セラミックスにおいて、（１）低い電気抵抗率、大きい熱電係数Ｓ並びに大きい無次元性能指数ＺＴを有するＰ型あるいはＮ型の半導体特性を備える材料（２）バリスタ特性としては４０以上の非直線指数αを有する材料、を得ることにある。【解決手段】炭化珪素を主成分として、副成分としてＡｌ、Ｂ、Ｙ、Ｃのうち少なくともひとつを含む出発原料を図１の手順に従って焼結することによってＰ型あるいはＮ型半導体特性を有する多結晶セラミックス焼結体を得ることができる。加えて、より低い抵抗率、大きい熱電係数を得るためにはＢ、Ａｌ，Ｇａ、Ｉｎ、Ｙ、Ｌａ族、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｎ，Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉをドーピングすることが有効である。【選択図】図１
To obtain a material (1) having P-type or N-type semiconductor properties and having low electrical resistivity, large thermoelectric coefficient S, and large dimensionless performance index ZT, and a material (2) having non-linear index α of 40 or more as varistor characteristics, in polycrystalline ceramics mainly comprising silicon carbide.SOLUTION: A polycrystalline ceramics-sintered body can be obtained which has P-type or N-type semiconductor properties, by sintering a starting material comprising silicon carbide as a main component and at least one of Al, B, Y, and C as accessory ingredient(s), in accordance with a process shown in Figure 1. Moreover, doping with B, Al, Ga, In, Y, a La-group, V, Nb, Ta, N, P, As, Sb, Bi is effective in obtaining smaller resistivity and larger thermoelectric coefficients.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】炭化珪素を主成分とする多結晶セラミックスにおいて、（１）低い電気抵抗率、大きい熱電係数Ｓ並びに大きい無次元性能指数ＺＴを有するＰ型あるいはＮ型の半導体特性を備える材料（２）バリスタ特性としては４０以上の非直線指数αを有する材料、を得ることにある。【解決手段】炭化珪素を主成分として、副成分としてＡｌ、Ｂ、Ｙ、Ｃのうち少なくともひとつを含む出発原料を図１の手順に従って焼結することによってＰ型あるいはＮ型半導体特性を有する多結晶セラミックス焼結体を得ることができる。加えて、より低い抵抗率、大きい熱電係数を得るためにはＢ、Ａｌ，Ｇａ、Ｉｎ、Ｙ、Ｌａ族、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｎ，Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉをドーピングすることが有効である。【選択図】図１
POLYCRYSTALLINE CERAMICS
多結晶セラミックス
HIRANO MASAKAZU (author)
2019-05-16
Patent
Electronic Resource
Japanese
Effective electrostrictive coefficients of polycrystalline ceramics
| British Library Online Contents | 2000
Preparation of polycrystalline BaTi2O5 ferroelectric ceramics
| British Library Online Contents | 2009
POLYCRYSTALLINE CERAMICS PRODUCTION THEREOF AND USES THEREOF
European Patent Office | 2017