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CERAMIC SUBSTRATE, LAMINATE, AND SAW DEVICE
To provide a ceramic substrate capable of controlling chipping off of a piezoelectric substrate in a process of producing a SAW device, and a laminate and a SAW device each comprising the ceramic substrate.SOLUTION: A ceramic substrate 10 is a ceramic substrate which is constituted of polycrystalline ceramic and comprises a principal support face 11 for supporting another substrate 20. The mean value of the crystal diameters of the polycrystalline ceramic on the principal support face 11 of the ceramic substrate 10 is 40 μm or greater and smaller than 500 μm, and the standard deviation thereof is smaller than 1.5 times the mean value.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】SAWデバイスの製造プロセスにおける圧電体基板の欠けの発生を抑制することが可能なセラミック基板、当該セラミック基板を含む積層体およびSAWデバイスを提供する。【解決手段】セラミック基板10は、多結晶セラミックから構成され、他の基板20を支持するための支持主面11を有するセラミック基板である。セラミック基板10は、支持主面11において、多結晶セラミックの結晶粒径の平均値が40μm以上500μm未満であり、標準偏差が上記平均値の1.5倍未満である。【選択図】図1
CERAMIC SUBSTRATE, LAMINATE, AND SAW DEVICE
To provide a ceramic substrate capable of controlling chipping off of a piezoelectric substrate in a process of producing a SAW device, and a laminate and a SAW device each comprising the ceramic substrate.SOLUTION: A ceramic substrate 10 is a ceramic substrate which is constituted of polycrystalline ceramic and comprises a principal support face 11 for supporting another substrate 20. The mean value of the crystal diameters of the polycrystalline ceramic on the principal support face 11 of the ceramic substrate 10 is 40 μm or greater and smaller than 500 μm, and the standard deviation thereof is smaller than 1.5 times the mean value.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】SAWデバイスの製造プロセスにおける圧電体基板の欠けの発生を抑制することが可能なセラミック基板、当該セラミック基板を含む積層体およびSAWデバイスを提供する。【解決手段】セラミック基板10は、多結晶セラミックから構成され、他の基板20を支持するための支持主面11を有するセラミック基板である。セラミック基板10は、支持主面11において、多結晶セラミックの結晶粒径の平均値が40μm以上500μm未満であり、標準偏差が上記平均値の1.5倍未満である。【選択図】図1
CERAMIC SUBSTRATE, LAMINATE, AND SAW DEVICE
セラミック基板、積層体およびSAWデバイス
SHIMOJI KEIICHIRO (author) / HASEGAWA MIKITO (author) / NAKAYAMA SHIGERU (author)
2021-01-28
Patent
Electronic Resource
Japanese