A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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- VANADIA-BASED ZINC OXIDE VARISTORS DOPED WITH YTTRIA AND MAUNFACTURING METHOD FOR THE SAME
The present invention relates to a zinc oxide-vanadia varistor with yttria added, which shows a very high resistance value below a breakdown voltage but shows a low resistance value above the breakdown voltage, and which has excellent nonlinear properties at a specific amount of yttria added and exhibits high interfacial state density and high potential barrier height; and a manufacturing method thereof. In addition, the present invention relates to the zinc oxide-vanadia varistor with yttria added and the manufacturing method thereof, which can act as a donor based on a chemical defect reaction. The present invention can provide a chip varistor using the zinc oxide-vanadia varistor with yttria added.
본 발명은 항복전압 전압 이하에서는 매우 높은 저항값을 나타내지만, 그 이상에서는 낮은 저항 값을 보이며, 특정한 이트리아 첨가량에서 비선형 특성이 아주 우수하고, 높은 계면상태밀도와 높은 전위장벽 높이 값을 나타내는 것을 특징으로 하는 이트리아가 첨가된 산화아연-바나디아계 바리스터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 또한, 화학적 결함(chemical defect) 반응에 기초하여 도너(donor)로 작용할 수 있는 이트리아가 첨가된 산화아연-바나디아계 바리스터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 상기 이트리아가 첨가된 산화아연-바나디아계 바리스터를 이용하여 칩 바리스터를 제공할 수 있다.
- VANADIA-BASED ZINC OXIDE VARISTORS DOPED WITH YTTRIA AND MAUNFACTURING METHOD FOR THE SAME
The present invention relates to a zinc oxide-vanadia varistor with yttria added, which shows a very high resistance value below a breakdown voltage but shows a low resistance value above the breakdown voltage, and which has excellent nonlinear properties at a specific amount of yttria added and exhibits high interfacial state density and high potential barrier height; and a manufacturing method thereof. In addition, the present invention relates to the zinc oxide-vanadia varistor with yttria added and the manufacturing method thereof, which can act as a donor based on a chemical defect reaction. The present invention can provide a chip varistor using the zinc oxide-vanadia varistor with yttria added.
본 발명은 항복전압 전압 이하에서는 매우 높은 저항값을 나타내지만, 그 이상에서는 낮은 저항 값을 보이며, 특정한 이트리아 첨가량에서 비선형 특성이 아주 우수하고, 높은 계면상태밀도와 높은 전위장벽 높이 값을 나타내는 것을 특징으로 하는 이트리아가 첨가된 산화아연-바나디아계 바리스터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 또한, 화학적 결함(chemical defect) 반응에 기초하여 도너(donor)로 작용할 수 있는 이트리아가 첨가된 산화아연-바나디아계 바리스터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 상기 이트리아가 첨가된 산화아연-바나디아계 바리스터를 이용하여 칩 바리스터를 제공할 수 있다.
- VANADIA-BASED ZINC OXIDE VARISTORS DOPED WITH YTTRIA AND MAUNFACTURING METHOD FOR THE SAME
이트리아가 첨가된 산화아연-바나디아계 바리스터 및 그 제조방법
NAHM CHOON WOO (author)
2020-07-27
Patent
Electronic Resource
Korean
MAUNFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTING CERAMICS COMPOSITIONS AND CERAMICS SUBSTRATE THEREOF
European Patent Office | 2016
Microwave Sintering Behaviors of Zinc Oxide Varistors
| British Library Online Contents | 2006
| British Library Online Contents | 2007
Grain Boundary Properties of Hot Pressed Zinc Oxide Varistors
| British Library Online Contents | 1993
Ineffective grain boundaries and breakdown threshold of zinc oxide varistors
| British Library Online Contents | 1994