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A magnetic memory device
본 발명의 실시예에 따른 자기 메모리 장치는 기판 상에 배치되고, 제 1 방향으로 서로 이격된 자기 터널 접합(MTJ) 구조물들, 상기 자기 터널 접합 구조물들 상에 배치된 상부 전극들, 및 상기 자기 터널 접합 구조물들 사이의 상기 기판 상에 배치되는 비트 라인을 포함하되, 상기 비트 라인의 상면은 상기 상부 전극들의 상면들과 동일한 레벨에 위치할 수 있다.
A plurality of magnetic tunnel junction structures is arranged in rows and columns on a substrate. A plurality of top electrodes is disposed on the plurality of magnetic tunnel junction structures, respectively. A plurality of bit lines is disposed on the substrate. One of the plurality of bit lines is disposed between two magnetic tunnel junction structures, adjacent to each other, of the plurality of magnetic tunnel junction structures. A top surface of each of the plurality of bit lines is disposed at substantially the same level as a top surface of each of the plurality of top electrodes.
A magnetic memory device
본 발명의 실시예에 따른 자기 메모리 장치는 기판 상에 배치되고, 제 1 방향으로 서로 이격된 자기 터널 접합(MTJ) 구조물들, 상기 자기 터널 접합 구조물들 상에 배치된 상부 전극들, 및 상기 자기 터널 접합 구조물들 사이의 상기 기판 상에 배치되는 비트 라인을 포함하되, 상기 비트 라인의 상면은 상기 상부 전극들의 상면들과 동일한 레벨에 위치할 수 있다.
A plurality of magnetic tunnel junction structures is arranged in rows and columns on a substrate. A plurality of top electrodes is disposed on the plurality of magnetic tunnel junction structures, respectively. A plurality of bit lines is disposed on the substrate. One of the plurality of bit lines is disposed between two magnetic tunnel junction structures, adjacent to each other, of the plurality of magnetic tunnel junction structures. A top surface of each of the plurality of bit lines is disposed at substantially the same level as a top surface of each of the plurality of top electrodes.
A magnetic memory device
자기 메모리 장치
2024-02-13
Patent
Electronic Resource
Korean
IPC:
H10N
Magnetic memory finds new bounds
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|Automatic downhole tunnel leveling device based on magnetic control memory alloy
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