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COMPOSITE SINTERED BODY SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS MEMBER AND METHOD OF MANUFACTURING COMPOSITE SINTERED BODY
높은 플라즈마 내식성, 높은 체적 저항률, 및 높은 열 전도율을 갖는 고밀도의 복합 소결체를 제공한다. 복합 소결체는 AlN과 MgAl2O4를 포함한다. 상기 복합 소결체의 개기공률은 0.1％ 미만이다. 상기 복합 소결체의 상대 밀도는 99.5％ 이상이다. 상기 복합 소결체에 있어서의 AlN 및 MgAl2O4의 합계 함유율은 95 중량％ 이상 100 중량％ 이하이다. 상기 복합 소결체에 있어서의 MgAl2O4의 함유율은 15 중량％ 이상 70 중량％ 이하이다. 이에 의해, 높은 플라즈마 내식성, 높은 체적 저항률 및 높은 열 전도율을 갖는 고밀도의 복합 소결체를 제공할 수 있다.
The composite sintered body includes AlN and MgAl2O4. The open porosity of the composite sintered body is lower than 0.1%. The relative density of the composite sintered body is not lower than 99.5%. The total percentage of the AlN and the MgAl2O4 contained in the composite sintered body is not lower than 95 weight percentage and not higher than 100 weight percentage. The percentage of the MgAl2O4 contained in the composite sintered body is not lower than 15 weight percentage and not higher than 70 weight percentage. It is thereby possible to provide a high-density composite sintered body having high plasma corrosion resistance, high volume resistivity, and high thermal conductivity.
COMPOSITE SINTERED BODY SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS MEMBER AND METHOD OF MANUFACTURING COMPOSITE SINTERED BODY
높은 플라즈마 내식성, 높은 체적 저항률, 및 높은 열 전도율을 갖는 고밀도의 복합 소결체를 제공한다. 복합 소결체는 AlN과 MgAl2O4를 포함한다. 상기 복합 소결체의 개기공률은 0.1％ 미만이다. 상기 복합 소결체의 상대 밀도는 99.5％ 이상이다. 상기 복합 소결체에 있어서의 AlN 및 MgAl2O4의 합계 함유율은 95 중량％ 이상 100 중량％ 이하이다. 상기 복합 소결체에 있어서의 MgAl2O4의 함유율은 15 중량％ 이상 70 중량％ 이하이다. 이에 의해, 높은 플라즈마 내식성, 높은 체적 저항률 및 높은 열 전도율을 갖는 고밀도의 복합 소결체를 제공할 수 있다.
The composite sintered body includes AlN and MgAl2O4. The open porosity of the composite sintered body is lower than 0.1%. The relative density of the composite sintered body is not lower than 99.5%. The total percentage of the AlN and the MgAl2O4 contained in the composite sintered body is not lower than 95 weight percentage and not higher than 100 weight percentage. The percentage of the MgAl2O4 contained in the composite sintered body is not lower than 15 weight percentage and not higher than 70 weight percentage. It is thereby possible to provide a high-density composite sintered body having high plasma corrosion resistance, high volume resistivity, and high thermal conductivity.
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복합 소결체, 반도체 제조 장치 부재 및 복합 소결체의 제조 방법
2024-04-04
Patent
Electronic Resource
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