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MULTILAYERED CAPACITOR
본 개시에 따른 적층형 커패시터는 유전체층 및 내부 전극을 포함하는 커패시터 바디, 그리고 상기 커패시터 바디의 외측에 배치되는 외부 전극을 포함하며, 상기 내부 전극은 Ni-Ge 합금을 포함하며, 내부 전극 중심부에서의 Ni 대비 Ge의 평균 함량(중량%)을 X라 하고, 상기 내부 전극과 상기 유전체층의 사이에 배치된 계면으로부터 상기 내부 전극의 중심부를 향하여 20nm 이격된 지점에서의 Ni 대비 Ge의 평균 함량(중량%)을 Y라 할 때, X와 Y의 관계가 식 1을 만족한다. 식 1은 명세서에 기재된 바와 같다.
MULTILAYERED CAPACITOR
본 개시에 따른 적층형 커패시터는 유전체층 및 내부 전극을 포함하는 커패시터 바디, 그리고 상기 커패시터 바디의 외측에 배치되는 외부 전극을 포함하며, 상기 내부 전극은 Ni-Ge 합금을 포함하며, 내부 전극 중심부에서의 Ni 대비 Ge의 평균 함량(중량%)을 X라 하고, 상기 내부 전극과 상기 유전체층의 사이에 배치된 계면으로부터 상기 내부 전극의 중심부를 향하여 20nm 이격된 지점에서의 Ni 대비 Ge의 평균 함량(중량%)을 Y라 할 때, X와 Y의 관계가 식 1을 만족한다. 식 1은 명세서에 기재된 바와 같다.
MULTILAYERED CAPACITOR
적층형 커패시터
OH YUHONG (author) / CHOI WON MI (author) / SHIN SUMIN (author) / LEE SUNG HWAN (author) / KIM BYUNGKUN (author) / AHN JIHYE (author) / KIM DOJEON (author)
2025-01-13
Patent
Electronic Resource
Korean