A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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SUBSTRATE FOR SOLIDIFYING A SILICON INGOT
본 발명은 특히 액체 실리콘에 접촉하게 되는 기재(substrate)에 관한 것이고, 이 기재는 결속층(tie layer)이라고 명명한, 상기 기재와 인접하고 적어도 30%의 개기공율을 가지며 실리카와 실리콘 나이트라이드에 기초한 재료로 형성되되 상기 재료는 총 중량 대비 10%와 55% 사이의 실리카 함량을 가지는 적어도 하나의 층과, 상기 결속층과 별개이고 이형층(release layer)이라고 명명한, 결속층의 표면에 위치하고 실리카와 실리콘 나이트라이드에 기초한 재료로 형성되되 상기 재료는 총 중량 대비 2%와 10% 사이의 실리카 함량을 가지는 층으로부터 형성된 다층 코팅으로 적어도 부분적으로 표면 코팅된 것이 특징이다.
A substrate, in particular intended for contact with liquid silicon, wherein it is at least partially surface-coated with a multilayer coating formed by: at least one layer, known as the adhesion layer, contiguous with the substrate, having an open porosity of at least 30%, and formed of a material comprising silica and silicon nitride, said material having a silica content of between 10 wt.-% and 55 wt.-% in relation to the total weight thereof; and a layer different from the adhesion layer, known as the release layer, located on the surface of the adhesion layer and formed of a material including silica and silicon nitride, said material having a silica content of between 2 wt.-% and 10 wt.-% in relation to the total weight thereof.
SUBSTRATE FOR SOLIDIFYING A SILICON INGOT
본 발명은 특히 액체 실리콘에 접촉하게 되는 기재(substrate)에 관한 것이고, 이 기재는 결속층(tie layer)이라고 명명한, 상기 기재와 인접하고 적어도 30%의 개기공율을 가지며 실리카와 실리콘 나이트라이드에 기초한 재료로 형성되되 상기 재료는 총 중량 대비 10%와 55% 사이의 실리카 함량을 가지는 적어도 하나의 층과, 상기 결속층과 별개이고 이형층(release layer)이라고 명명한, 결속층의 표면에 위치하고 실리카와 실리콘 나이트라이드에 기초한 재료로 형성되되 상기 재료는 총 중량 대비 2%와 10% 사이의 실리카 함량을 가지는 층으로부터 형성된 다층 코팅으로 적어도 부분적으로 표면 코팅된 것이 특징이다.
A substrate, in particular intended for contact with liquid silicon, wherein it is at least partially surface-coated with a multilayer coating formed by: at least one layer, known as the adhesion layer, contiguous with the substrate, having an open porosity of at least 30%, and formed of a material comprising silica and silicon nitride, said material having a silica content of between 10 wt.-% and 55 wt.-% in relation to the total weight thereof; and a layer different from the adhesion layer, known as the release layer, located on the surface of the adhesion layer and formed of a material including silica and silicon nitride, said material having a silica content of between 2 wt.-% and 10 wt.-% in relation to the total weight thereof.
SUBSTRATE FOR SOLIDIFYING A SILICON INGOT
실리콘 잉곳 고화용 기재
GARANDET JEAN PAUL (author) / CAMEL DENIS (author) / DREVET BEATRICE (author) / EUSTATHOPOULOS NICOLAS (author) / HUGUET CHARLES (author) / TESTARD JOHANN (author) / VOYTOVYCH RAYISA (author)
2016-05-23
Patent
Electronic Resource
Korean