A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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COMPOSITION FOR FORMING SILICA LAYER SILICA LAYER AND ELECTRONIC DEVICE
The present invention relates to composition for forming silica layer including a silicon-containing polymer and a solvent and having greater than 0 and 15 or less of a SiO_2 conversion rate, a silica layer manufactured thereby, and an electronic component including the silica layer, wherein the SiO_2 conversion rate is calculated by equation 1, SiO_2 conversion rate = (area ratio value of Si-O/Si-H obtained by coating the composition for forming silica layer with a thickness of 6,700 Å on a bare wafer and leaving the composition for 24 hours under 85°C of temperature and 85% of relative humidity) - (area ratio value of Si-O/Si-H obtained by coating the composition for forming silica layer with a thickness of 6,700 Å on a bare wafer and leaving the composition for 2 hours under 85°C of temperature and 85% of relative humidity). According to the present invention, it is possible to implement a silica layer which has an excellent wet etch rate (WER) inside a pattern (gap) of a pattern wafer as well as low layer shrinkage.
규소 함유 중합체 및 용매를 포함하는 실리카 막 형성용 조성물로서, SiO전환 속도가 0 초과 15 이하인 실리카 막 형성용 조성물, 이로부터 제조된 실리카 막, 그리고 상기 실리카 막을 포함하는 전자소자에 관한 것이다. 단, SiO전환 속도는 하기 관계식 1에 의하여 산출된다: [관계식 1] SiO전환 속도 = (상기 실리카 막 형성용 조성물을 6700Å의 두께로 배어 웨이퍼 상에 코팅하여 온도 85 및 상대습도 85%의 조건에서 24시간 방치함에 따른 Si-O/Si-H의 면적비율 값) - (상기 실리카 막 형성용 조성물을 6700Å의 두께로 배어 웨이퍼 상에 코팅하여 온도 85 및 상대습도 85%의 조건에서 2시간 방치함에 따른 Si-O/Si-H의 면적비율 값)
COMPOSITION FOR FORMING SILICA LAYER SILICA LAYER AND ELECTRONIC DEVICE
The present invention relates to composition for forming silica layer including a silicon-containing polymer and a solvent and having greater than 0 and 15 or less of a SiO_2 conversion rate, a silica layer manufactured thereby, and an electronic component including the silica layer, wherein the SiO_2 conversion rate is calculated by equation 1, SiO_2 conversion rate = (area ratio value of Si-O/Si-H obtained by coating the composition for forming silica layer with a thickness of 6,700 Å on a bare wafer and leaving the composition for 24 hours under 85°C of temperature and 85% of relative humidity) - (area ratio value of Si-O/Si-H obtained by coating the composition for forming silica layer with a thickness of 6,700 Å on a bare wafer and leaving the composition for 2 hours under 85°C of temperature and 85% of relative humidity). According to the present invention, it is possible to implement a silica layer which has an excellent wet etch rate (WER) inside a pattern (gap) of a pattern wafer as well as low layer shrinkage.
규소 함유 중합체 및 용매를 포함하는 실리카 막 형성용 조성물로서, SiO전환 속도가 0 초과 15 이하인 실리카 막 형성용 조성물, 이로부터 제조된 실리카 막, 그리고 상기 실리카 막을 포함하는 전자소자에 관한 것이다. 단, SiO전환 속도는 하기 관계식 1에 의하여 산출된다: [관계식 1] SiO전환 속도 = (상기 실리카 막 형성용 조성물을 6700Å의 두께로 배어 웨이퍼 상에 코팅하여 온도 85 및 상대습도 85%의 조건에서 24시간 방치함에 따른 Si-O/Si-H의 면적비율 값) - (상기 실리카 막 형성용 조성물을 6700Å의 두께로 배어 웨이퍼 상에 코팅하여 온도 85 및 상대습도 85%의 조건에서 2시간 방치함에 따른 Si-O/Si-H의 면적비율 값)
COMPOSITION FOR FORMING SILICA LAYER SILICA LAYER AND ELECTRONIC DEVICE
실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막, 및 전자소자
BAE JIN HEE (author) / KWAK TAEK SOO (author) / HWANG BYEONG GYU (author) / NOH KUN BAE (author) / SAKONG JUN (author) / SEO JIN WOO (author) / JANG JUN YOUNG (author)
2019-06-24
Patent
Electronic Resource
Korean
COMPOSITION FOR FORMING SILICA LAYER SILICA LAYER AND ELECTRONIC DEVICE
European Patent Office | 2020
Method For Constructing Waterproofing Layer using Silica
| European Patent Office | 2023
Layer-by-layer surfactants on silica nanoparticles for active corrosion protection
| British Library Online Contents | 2014
Cell labeling efficiency of layer-by-layer self-assembly modified silica nanoparticles
| British Library Online Contents | 2009
Atomic layer growth of TiO~2 on silica
| British Library Online Contents | 1992