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질화규소 소결체의 제조 방법
본 발명은, β화율이 80% 이상, 고용 산소량이 0.2질량% 이하, 비표면적이 5 내지 20m2/g인 질화규소 분말과, 산소 결합을 갖지 않는 화합물을 포함하는 소결 보조제를 함유하고, 총 산소량이 1 내지 15질량%, 알루미늄 원소의 총 함유량이 800ppm 이하로 조정된 성형체를, 불활성 가스 분위기 및 0MPa·G 이상 0.1MPa·G 미만의 압력 하, 1200 내지 1800℃의 온도로 가열하여 질화규소를 소결하는 것을 특징으로 하는, 질화규소 소결체의 제조 방법이다. 본 발명에 따르면, β화율이 높은 질화규소 분말을 사용하고, 또한 상압 또는 대략 상압에서 소성시키는 경우에도, 열전도율이 높은 질화규소 소결체를 얻을 수 있는 질화규소 소결체의 제조 방법을 제공할 수 있다.
The present invention is directed to a method for producing a silicon nitride sintered material, the method including heating a molded article, which contains a silicon nitride powder having a β phase ratio of 80% or more, a dissolved oxygen content of 0.2% by mass or less, and a specific surface area of 5 to 20 m2/g, and a sintering auxiliary containing a compound having no oxygen bond, and which has an overall oxygen content controlled to be 1 to 15% by mass and an aluminum element overall content controlled to be 800 ppm or less, to a temperature of 1,200 to 1,800°C in an inert gas atmosphere under a pressure of 0 MPa ·G or more and less than 0.1 MPa ·G to sinter the silicon nitride.In the present invention, there can be provided a method for producing a silicon nitride sintered material, which method is advantageous in that a silicon nitride sintered material having high thermal conductivity can be obtained even when using a silicon nitride powder having a high β phase ratio and conducting calcination under normal pressure or substantially normal pressure.
질화규소 소결체의 제조 방법
본 발명은, β화율이 80% 이상, 고용 산소량이 0.2질량% 이하, 비표면적이 5 내지 20m2/g인 질화규소 분말과, 산소 결합을 갖지 않는 화합물을 포함하는 소결 보조제를 함유하고, 총 산소량이 1 내지 15질량%, 알루미늄 원소의 총 함유량이 800ppm 이하로 조정된 성형체를, 불활성 가스 분위기 및 0MPa·G 이상 0.1MPa·G 미만의 압력 하, 1200 내지 1800℃의 온도로 가열하여 질화규소를 소결하는 것을 특징으로 하는, 질화규소 소결체의 제조 방법이다. 본 발명에 따르면, β화율이 높은 질화규소 분말을 사용하고, 또한 상압 또는 대략 상압에서 소성시키는 경우에도, 열전도율이 높은 질화규소 소결체를 얻을 수 있는 질화규소 소결체의 제조 방법을 제공할 수 있다.
The present invention is directed to a method for producing a silicon nitride sintered material, the method including heating a molded article, which contains a silicon nitride powder having a β phase ratio of 80% or more, a dissolved oxygen content of 0.2% by mass or less, and a specific surface area of 5 to 20 m2/g, and a sintering auxiliary containing a compound having no oxygen bond, and which has an overall oxygen content controlled to be 1 to 15% by mass and an aluminum element overall content controlled to be 800 ppm or less, to a temperature of 1,200 to 1,800°C in an inert gas atmosphere under a pressure of 0 MPa ·G or more and less than 0.1 MPa ·G to sinter the silicon nitride.In the present invention, there can be provided a method for producing a silicon nitride sintered material, which method is advantageous in that a silicon nitride sintered material having high thermal conductivity can be obtained even when using a silicon nitride powder having a high β phase ratio and conducting calcination under normal pressure or substantially normal pressure.
질화규소 소결체의 제조 방법
MABUCHI TOSHIROU (author) / WAKAMATSU SATORU (author)
2022-07-28
Patent
Electronic Resource
Korean