A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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질화규소 소결 기판
질화규소 분말을 소결 후, 미연마 상태에 있어서, 표면에 형성되는 질화규소 결정에 의한 그물눈상 구조에 기인하는, 이형재로서 사용되는 질화붕소 분말 등에 의한 오염이나, 금속층 등을 적층할 때의 접합 강도나 절연 내성 등의 문제의 발생을 저감하는 것이 가능한 질화규소 소결 기판을 제공한다. 소결 후, 미연마 상태의 질화규소 기판으로서, 수은 압입법에 의해 측정되는 세공 직경이 1 내지 10㎛인 세공 적산 용적이 7.0×10-5mL/㎠ 이하인 질화규소 소결 기판이고, 바람직하게는 그 표면에 대하여, Ra가 0.6㎛ 이하, 산 정점의 산술 평균 곡률(Spc)의 값이 4.5[1/mm] 이하이다.
The present invention provides a silicon nitride sintered substrate capable of reducing contamination caused by a boron nitride powder or the like used as a releasing agent and problems in bonding strength and dielectric strength at the time of laminating metal layers or the like, where the contamination is caused by a network structure provided by a silicon nitride crystal formed on the surface of the substrate in an unpolished state after sintering a silicon nitride powder. The silicon nitride substrate in an unpolished state after sintering is a silicon nitride sintered substrate where a cumulative volume of pores having a diameter in a range of 1 to 10 µm is not more than 7.0 × 10-5 mL/cm2 in a measurement by a mercury porosimetry. Preferably, Ra of the surface is not more than 0.6 µm and arithmetic mean peak curvature (Spc) of a peak is not more than 4.5 [1/mm] .
질화규소 소결 기판
질화규소 분말을 소결 후, 미연마 상태에 있어서, 표면에 형성되는 질화규소 결정에 의한 그물눈상 구조에 기인하는, 이형재로서 사용되는 질화붕소 분말 등에 의한 오염이나, 금속층 등을 적층할 때의 접합 강도나 절연 내성 등의 문제의 발생을 저감하는 것이 가능한 질화규소 소결 기판을 제공한다. 소결 후, 미연마 상태의 질화규소 기판으로서, 수은 압입법에 의해 측정되는 세공 직경이 1 내지 10㎛인 세공 적산 용적이 7.0×10-5mL/㎠ 이하인 질화규소 소결 기판이고, 바람직하게는 그 표면에 대하여, Ra가 0.6㎛ 이하, 산 정점의 산술 평균 곡률(Spc)의 값이 4.5[1/mm] 이하이다.
The present invention provides a silicon nitride sintered substrate capable of reducing contamination caused by a boron nitride powder or the like used as a releasing agent and problems in bonding strength and dielectric strength at the time of laminating metal layers or the like, where the contamination is caused by a network structure provided by a silicon nitride crystal formed on the surface of the substrate in an unpolished state after sintering a silicon nitride powder. The silicon nitride substrate in an unpolished state after sintering is a silicon nitride sintered substrate where a cumulative volume of pores having a diameter in a range of 1 to 10 µm is not more than 7.0 × 10-5 mL/cm2 in a measurement by a mercury porosimetry. Preferably, Ra of the surface is not more than 0.6 µm and arithmetic mean peak curvature (Spc) of a peak is not more than 4.5 [1/mm] .
질화규소 소결 기판
MITSUMURA NORIHIRA (author) / KUSANO DAI (author) / KAWAI HIDEAKI (author)
2023-03-03
Patent
Electronic Resource
Korean