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입방정 질화붕소 소결체 공구
입방정 질화붕소 소결체 공구는, 제1 소결체를 적어도 날끝에 갖고, 제1 소결체는, 복수의 cBN 입자를 포함한다. 상기 날끝의 표면에 위치한 cBN 입자는, cBN의 결정 구조를 포함하는 입방정 질화붕소상과, hBN의 결정 구조를 포함하는 육방정 질화붕소상을 포함한다. 상기 날끝의 표면의 cBN 입자에 대하여, TEM-EELS법으로 붕소의 K각 전자의 여기에 따른 에너지 손실을 측정함으로써, 육방정 질화붕소상에 있어서의 hBN의 π 결합에 유래하는 π* 피크의 강도와, 육방정 질화붕소상에 있어서의 hBN의 σ 결합, 및 입방정 질화붕소상에 있어서의 cBN의 σ 결합에 유래하는 σ* 피크의 강도의 비(Iπ*/Iσ*)를 구한 경우, 날끝의 표면에 있어서의 cBN 입자의 비(Iπ*/Iσ*)는 0.1~2이고, 또한 날끝의 표면으로부터 상기 날끝의 표면의 법선 방향을 따라 5 ㎛의 깊이 위치에 있어서의 cBN 입자의 비(Iπ*/Iσ*)는 0.001~0.1이다.
A cubic boron nitride sintered material tool contains a first sintered material at least on a cutting edge, and the first sintered material contains a plurality of cBN grains. cBN grains located on a surface of the cutting edge contain a cubic boron nitride phase composed of a cBN crystal structure, and a hexagonal boron nitride phase composed of a hBN crystal structure. When a ratio Iπ∗/Iσ∗ between an intensity of a π∗ peak derived from a π bond of hBN in the hexagonal boron nitride phase and an intensity of a σ∗ peak derived from a σ bond of hBN in the hexagonal boron nitride phase and a σ bond of cBN in the cubic boron nitride phase is determined for the cBN grain located on the surface of the cutting edge by measuring an energy loss associated with excitation of K-shell electrons of boron by TEM-EELS, the ratio Iπ∗/Iσ∗ of the cBN grain on the surface of the cutting edge is 0.1 to 2, and the ratio Iπ∗/Iσ∗ of the cBN grain at a depth position of 5 µm in a normal direction to the surface of the cutting edge from the surface of the cutting edge is 0.001 to 0.1.
입방정 질화붕소 소결체 공구
입방정 질화붕소 소결체 공구는, 제1 소결체를 적어도 날끝에 갖고, 제1 소결체는, 복수의 cBN 입자를 포함한다. 상기 날끝의 표면에 위치한 cBN 입자는, cBN의 결정 구조를 포함하는 입방정 질화붕소상과, hBN의 결정 구조를 포함하는 육방정 질화붕소상을 포함한다. 상기 날끝의 표면의 cBN 입자에 대하여, TEM-EELS법으로 붕소의 K각 전자의 여기에 따른 에너지 손실을 측정함으로써, 육방정 질화붕소상에 있어서의 hBN의 π 결합에 유래하는 π* 피크의 강도와, 육방정 질화붕소상에 있어서의 hBN의 σ 결합, 및 입방정 질화붕소상에 있어서의 cBN의 σ 결합에 유래하는 σ* 피크의 강도의 비(Iπ*/Iσ*)를 구한 경우, 날끝의 표면에 있어서의 cBN 입자의 비(Iπ*/Iσ*)는 0.1~2이고, 또한 날끝의 표면으로부터 상기 날끝의 표면의 법선 방향을 따라 5 ㎛의 깊이 위치에 있어서의 cBN 입자의 비(Iπ*/Iσ*)는 0.001~0.1이다.
A cubic boron nitride sintered material tool contains a first sintered material at least on a cutting edge, and the first sintered material contains a plurality of cBN grains. cBN grains located on a surface of the cutting edge contain a cubic boron nitride phase composed of a cBN crystal structure, and a hexagonal boron nitride phase composed of a hBN crystal structure. When a ratio Iπ∗/Iσ∗ between an intensity of a π∗ peak derived from a π bond of hBN in the hexagonal boron nitride phase and an intensity of a σ∗ peak derived from a σ bond of hBN in the hexagonal boron nitride phase and a σ bond of cBN in the cubic boron nitride phase is determined for the cBN grain located on the surface of the cutting edge by measuring an energy loss associated with excitation of K-shell electrons of boron by TEM-EELS, the ratio Iπ∗/Iσ∗ of the cBN grain on the surface of the cutting edge is 0.1 to 2, and the ratio Iπ∗/Iσ∗ of the cBN grain at a depth position of 5 µm in a normal direction to the surface of the cutting edge from the surface of the cutting edge is 0.001 to 0.1.
입방정 질화붕소 소결체 공구
HARADA TAKASHI (author) / KUKINO SATORU (author) / WATANOBE NAOKI (author)
2023-06-05
Patent
Electronic Resource
Korean
입방정 질화붕소 소결체, 입방정 질화붕소 소결체를 구비하는 공구 및 입방정 질화붕소 소결체의 제조 방법
| European Patent Office | 2023