1. Способ обработки поверхностного слоя (3) устройства (1), состоящего из глинозема, причем способ включает стадии, в которых:готовят устройство с открытым для воздействия поверхностным слоем, подлежащим обработке, в котором поверхностный слой состоит из глинозема;нагревают поверхностный слой устройства в обедненной кислородом атмосфере (11) до температуры выше, чем нижний предел температуры по меньшей мере 1000ºС, тем самым снижая удельное электрическое сопротивление в области (7) самого наружного слоя поверхностного слоя.2. Способ по п. 1, дополнительно включающий стадию, в которой поддерживают температуру выше нижнего предела температуры с продолжительностью между 1 и 24 часами.3. Способ по п. 1 или 2, в котором нижний предел температуры составляет 1700ºС.4. Способ по п. 1 или 2, в котором обедненная кислородом атмосфера включает абсолютное количество кислорода менее 5 частей на миллион содержания кислорода в воздухе при температуре 25ºС и давлении 1000 гПа.5. Способ по п. 1 или 2, в котором обедненная кислородом атмосфера по существу состоит по меньшей мере из одного из инертного газа, азота, водорода, аргона и их комбинации.6. Способ по п. 1 или 2, в котором давление обедненной кислородом атмосферы составляет ниже 10 Па.7. Способ по п. 1 или 2, в котором устройство представляет собой компонент рентгеновской трубки, по меньшей мере частично заключающий в себе электронный пучок в рентгеновской трубке.8. Устройство (1), включающее поверхностный слой (3), в котором поверхностный слой состоит из глинозема и включает область (7) самого наружного слоя и область (9) основной части слоя, причем область самого наружного слоя имеет более высокую удельную электрическую проводимость, чем область основной части

A method for treating a surface layer (3) of a device (1) consisting of alumina and a corresponding device (1) are proposed. The method comprises providing the device (1) with the surface layer (3) to be treated being exposed and heating the surface layer (3) of the device (1) in an oxygen-depleted atmosphere comprising e.g. one of an inert gas, nitrogen, hydrogen, argon and a combination thereof to a temperature higher than 1000° C., preferably higher than 1700° C. for a duration of preferably more than 2 hours. Due to such treatment, a superficial layer region (7) comprised in the surface layer (3) may obtain a significantly reduced electrical resistivity which is assumed to be the result of chemically reducing this superficial layer region (7). Such reduced superficial electrical resistivity may advantageously serve for example in components of electron beam devices such as x-ray tube components for preventing any charge build-up.