A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR CERAMIC COMPOSITION, SEMICONDUCTOR CERAMIC COMPOSITION, PTC ELEMENT, AND HEATING ELEMENT MODULE
Provided is a novel manufacturing method which can perform adjustment so that the Curie temperature of a semiconductor ceramic composition becomes higher, and the room temperature resistivity ρ becomes lower. The method is a manufacturing method for a semiconductor ceramic composition in which a (BiA)TiO3 (A is at least one from among Na, Li, and K) calcined powder and a (BaR)[TiM]O3 (R is at least one from among the rare-earth elements including Y, M is at least one from among Nb, Ta, and Sb, and either R or M is required) calcined powder are prepared, the (BiA)TiO3 calcined powder and the (BaR)[TiM]O3 calcined powder are mixed, and subsequently, molding and sintering are performed, said manufacturing method for a semiconductor ceramic composition characterized in that prior to the mixing of the (BiA)TiO3 calcined powder and the (BaR)[TiM]O3 calcined powder, a/b ≥ 2.0 is satisfied, where a is the BET value of the (BiA)TiO3 calcined powder and b is the BET value of the (BaR)[TiM]O3 calcined powder.
L'invention concerne un nouveau procédé de production qui peut réaliser un ajustement tel que la température de Curie d'une composition céramique semi-conductrice s'élève et la résistivité à température ambiante ρ s'abaisse. Le procédé est un procédé de production d'une composition céramique semi-conductrice, dans lequel on prépare une poudre calcinée de (BiA)TiO3 (A est au moins l'un parmi Na, Li et K) et une poudre calcinée de (BaR)[TiM]O3 (R est au moins l'un parmi les éléments des terres rares comprenant Y, M est au moins l'un parmi Nb, Ta et Sb, et soit R, soit M est requis), on mélange la poudre calcinée de (BiA)TiO3 et la poudre calcinée de (BaR)[TiM]O3 et on réalise ensuite un moulage et un frittage, ledit procédé de production d'une composition céramique semi-conductrice étant caractérisé en ce que, avant le mélange de la poudre calcinée de (BiA)TiO3 et de la poudre calcinée de (BaR)[TiM]O3, la relation a/b ≥ 2,0 est satisfaite, a étant la valeur BET de la poudre calcinée de (BiA)TiO3 et b étant la valeur BET de la poudre calcinée de (BaR)[TiM]O3.
半導体磁器組成物のキュリー温度を大きく、かつ、室温比抵抗ρを小さく調整することが可能である新規な製造方法を提供する。 (BiA)TiO3（AはNa,Li,Kのうち少なくとも一種）仮焼粉と、(BaR)[TiM]O3（RはYを含む希土類元素のうち少なくとも一種、MはNb、Ta、Sbのうち少なくとも一種であり、R,Mはどちらか一方が必須である）仮焼粉を用意し、前記(BiA)TiO3仮焼粉と前記(BaR)[TiM]O3仮焼粉を混合し、その後、成形、焼結する半導体磁器組成物の製造方法であって、前記(BiA)TiO3仮焼粉と前記(BaR)[TiM]O3仮焼粉を混合する前に、前記(BiA)TiO3仮焼粉のBET値をa、前記(BaR)[TiM]O3仮焼粉のBET値をbとして、a/b≧2.0とすることを特徴とする半導体磁器組成物の製造方法。
MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR CERAMIC COMPOSITION, SEMICONDUCTOR CERAMIC COMPOSITION, PTC ELEMENT, AND HEATING ELEMENT MODULE
Provided is a novel manufacturing method which can perform adjustment so that the Curie temperature of a semiconductor ceramic composition becomes higher, and the room temperature resistivity ρ becomes lower. The method is a manufacturing method for a semiconductor ceramic composition in which a (BiA)TiO3 (A is at least one from among Na, Li, and K) calcined powder and a (BaR)[TiM]O3 (R is at least one from among the rare-earth elements including Y, M is at least one from among Nb, Ta, and Sb, and either R or M is required) calcined powder are prepared, the (BiA)TiO3 calcined powder and the (BaR)[TiM]O3 calcined powder are mixed, and subsequently, molding and sintering are performed, said manufacturing method for a semiconductor ceramic composition characterized in that prior to the mixing of the (BiA)TiO3 calcined powder and the (BaR)[TiM]O3 calcined powder, a/b ≥ 2.0 is satisfied, where a is the BET value of the (BiA)TiO3 calcined powder and b is the BET value of the (BaR)[TiM]O3 calcined powder.
L'invention concerne un nouveau procédé de production qui peut réaliser un ajustement tel que la température de Curie d'une composition céramique semi-conductrice s'élève et la résistivité à température ambiante ρ s'abaisse. Le procédé est un procédé de production d'une composition céramique semi-conductrice, dans lequel on prépare une poudre calcinée de (BiA)TiO3 (A est au moins l'un parmi Na, Li et K) et une poudre calcinée de (BaR)[TiM]O3 (R est au moins l'un parmi les éléments des terres rares comprenant Y, M est au moins l'un parmi Nb, Ta et Sb, et soit R, soit M est requis), on mélange la poudre calcinée de (BiA)TiO3 et la poudre calcinée de (BaR)[TiM]O3 et on réalise ensuite un moulage et un frittage, ledit procédé de production d'une composition céramique semi-conductrice étant caractérisé en ce que, avant le mélange de la poudre calcinée de (BiA)TiO3 et de la poudre calcinée de (BaR)[TiM]O3, la relation a/b ≥ 2,0 est satisfaite, a étant la valeur BET de la poudre calcinée de (BiA)TiO3 et b étant la valeur BET de la poudre calcinée de (BaR)[TiM]O3.
半導体磁器組成物のキュリー温度を大きく、かつ、室温比抵抗ρを小さく調整することが可能である新規な製造方法を提供する。 (BiA)TiO3（AはNa,Li,Kのうち少なくとも一種）仮焼粉と、(BaR)[TiM]O3（RはYを含む希土類元素のうち少なくとも一種、MはNb、Ta、Sbのうち少なくとも一種であり、R,Mはどちらか一方が必須である）仮焼粉を用意し、前記(BiA)TiO3仮焼粉と前記(BaR)[TiM]O3仮焼粉を混合し、その後、成形、焼結する半導体磁器組成物の製造方法であって、前記(BiA)TiO3仮焼粉と前記(BaR)[TiM]O3仮焼粉を混合する前に、前記(BiA)TiO3仮焼粉のBET値をa、前記(BaR)[TiM]O3仮焼粉のBET値をbとして、a/b≧2.0とすることを特徴とする半導体磁器組成物の製造方法。
MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR CERAMIC COMPOSITION, SEMICONDUCTOR CERAMIC COMPOSITION, PTC ELEMENT, AND HEATING ELEMENT MODULE
PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE COMPOSITION CÉRAMIQUE SEMI-CONDUCTRICE, COMPOSITION CÉRAMIQUE SEMI-CONDUCTRICE, ÉLÉMENT CTP ET MODULE D'ÉLÉMENT DE CHAUFFAGE
半導体磁器組成物の製造方法、半導体磁器組成物、ＰＴＣ素子、及び発熱体モジュール
TERAKADO YUTARO (author) / SHIMADA TAKESHI (author)
2015-08-06
Patent
Electronic Resource
Japanese
| European Patent Office | 2017
| European Patent Office | 2016
Ceramic heating element composition and Ceramic heating element
European Patent Office | 2020
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